DRAM

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REX Shares推出DRAM每日表現的2倍收益的ETF RAM
Svmuu訊 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF（RAM）已上線交易。該產品為與 Roundhill 合作發行的唯一 2 倍槓桿 ETF，Roundhill 為 DRAM（Roundhill Memory ETF）發行方。 RAM 旨在提供 DRAM 每日表現的 2 倍收益，每日重置，面向活躍交易者。

2026/06/24 12:26 UTC #槓桿ETF #DRAM
彭博分析師：LeverageShares 本週將推出 3 倍槓桿 SpaceX ETF
Svmuu訊彭博高級 ETF 分析師 Eric Balchunas 在 X 平台表示，LeverageShares 將於本週五推出 3 倍槓桿 SpaceX ETF。美元份額交易代碼為 $ELON，英鎊份額交易代碼為 $MUSK。此外，該公司還將同時推出 3 倍槓桿的 SK Hynix ETF 和 3 倍槓桿 DRAM ETF，覆蓋當前市場熱門標的，分析指出這些產品面向風險偏好較高的投資者，提供

2026/06/10 14:31 UTC #DRAM #SpaceX #槓桿 #ETF
伯恩斯坦：DRAM與NAND合約價格漲漲漲，預計第二季季增約60%
Svmuu訊伯恩斯坦最新月度追蹤報告顯示，DRAM與NAND合約價格在5月繼續季增，綜合指標均指向2026年第二季將錄得約60%的季增幅度，略高於該機構此前預測。報告顯示，5月DRAM合約價格較4月進一步上漲，加權平均數據顯示，2026年第二季傳統DRAM合約價格預計較2026年第一季上漲64%。NAND方面，受行動NAND及SSD價格支撐，2026年第二季混合均價漲幅預計約為60%。伯恩斯坦同

2026/06/04 13:20 UTC #NAND #大行評級 #DRAM
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SK海力士第三季度營收達104.6萬億韓元創紀錄，預計AI內存需求到2030年將供不應求；DRAM和HBM已售罄至2029年
SK海力士第三季度營收達104.6萬億韓元創紀錄，預計AI內存需求到2030年將供不應求；DRAM和HBM已售罄至2029年

2026/10/28 21:21 UTC #HBM #AI內存 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏觀
美光CTO表示，公司不會追求4F²存儲芯片，將繼續專注於6F²和3D DRAM技術，儘管中國競爭對手長鑫存儲（CXMT）在該領域取得了突破。
美光CTO表示，公司不會追求4F²存儲芯片，將繼續專注於6F²和3D DRAM技術，儘管中國競爭對手長鑫存儲（CXMT）在該領域取得了突破。

2026/10/21 17:32 UTC #長鑫存儲 #美光 #股票 #存儲芯片 #DRAM #美股
高盛上調中國DRAM廠商長鑫科技目標價至130元，因Q3營收超預期30%且G5平台已量產
高盛發佈最新研究報告，維持對中國DRAM廠商長鑫科技的“買入”評級，並將12個月目標價從129元小幅上調至130元。此次上調主要受長鑫科技披露的第三季度業績預告驅動，高盛預計其Q3營收中值較此前預測高出約30%。此外，公司已於2026年9月正式量產第五代DRAM技術平台（G5），高盛認為這將全面打開增長空間，並據此上調公司2026年至2030年盈利預測。

2026/10/20 06:39 UTC #長鑫科技 #股票 #DRAM #高盛 #A股
長鑫存儲（CXMT）股價下跌超6%，儘管預計2026年前三季度利潤強勁
週一，長鑫存儲（CXMT）股價下跌6.5%，儘管這家中國芯片製造商預計2026年前三季度淨利潤將達到1310億元至1325億元人民幣（約合195.8億美元），扭轉了去年同期52.8億元人民幣的淨虧損。該公司預計營收約為2650億元至2700億元人民幣，並將業績的顯著改善歸因於人工智能算力需求的快速增長，這提振了全球DRAM市場。2026年第三季度，長鑫存儲在全球DRAM營收中佔比10%，高於去年同

2026/10/19 02:01 UTC #長鑫存儲 #股票 #DRAM #人工智能 #A股
中國存儲芯片龍頭長鑫科技預計前三季度淨利潤1310億-1325億元，同比扭虧為盈，營收增超七倍
中國存儲芯片龍頭長鑫科技發佈業績預告，預計2026年前三季度歸屬於上市公司股東的淨利潤達1310億元至1325億元，較上年同期虧損52.80億元實現大幅扭虧為盈。同期營業收入預計約為2650億元至2700億元，較上年同期320.84億元增加逾2300億元，同比增幅超過七倍。公司將業績大幅改善歸因於AI算力需求快速增長帶動全球DRAM行業景氣度提升，產品供不應求，價格大幅上漲。

2026/10/16 14:01 UTC #長鑫科技 #股票 #DRAM #AI算力 #A股
KeyBanc：預計HBM明年Q1漲價80%-100%，DRAM和NAND價格Q4漲15%-20%
KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh在亞洲調研報告中指出，受AI數據中心需求驅動，高帶寬內存（HBM）價格預計將在2027年第一季度環比上漲80%至100%，DRAM價格今年第四季度將環比上漲15%至20%，NAND漲幅約為20%。

2026/10/16 08:25 UTC #KeyBanc Capital Markets #HBM #NAND #股票 #DRAM #宏觀
存儲板塊承壓，美光閃迪週一領跌，因韓國市場補跌、回購結束及長鑫科技4F²架構進展
存儲板塊週一經歷集中拋售，美光收跌3.88%，閃迪跌5.97%，美光距6月高點已跌近20%。此輪調整主要受三重衝擊影響：韓國市場在韓文日假期後補跌，韓國綜合指數（KOSPI）大跌3.65%；三星與SK海力士合計約400億美元的回購計劃提前結束，三星迴購已於10月6日終止；以及中國長鑫科技（CXMT）在10月9日至10日宣佈4F²新一代DRAM架構取得關鍵進展，並計劃年底推出服務器內存產品，在單元架

2026/10/13 00:10 UTC #股票回購 #存儲 #DRAM #半導體 #A股 #美股
麥肯錫上調2030年全球半導體市場規模預測44%至2.3萬億美元，主要由DRAM價格累計上漲6倍推動
麥肯錫最新研究將2030年全球半導體市場規模基準預測從2025年秋季的1.6萬億美元上調至2.3萬億美元，增幅約44%。報告指出，此次上調並非源於出貨量增長，而是先進製程芯片和存儲器平均銷售價格（ASP）上漲所致，其中DRAM價格自2023年初以來已累計上漲約六倍，回到2011年高點。AI基礎設施投資是這一結構性變化的核心驅動力，五大超大規模雲計算服務商計劃在2026年和2027年投入萬億美元用於

2026/10/02 11:27 UTC #麥肯錫 #股票 #DRAM #半導體 #AI #宏觀
高盛：外資對韓國KOSPI半導體板塊持倉降至歷史低位，較歷史均值低2.1個標準差
據高盛數據，外資對韓國KOSPI半導體板塊的持倉比例已降至49.1%，較歷史均值低2.1個標準差，且倉位流失幾乎完全集中於存儲芯片領域。與此同時，TrendForce預計2027年HBM將佔據DRAM晶圓總投入的30%，高於2026年的22%，分析師對韓國科技板塊2027年每股盈利共識預期在過去六個月內上調幅度高達122%。市場對存儲週期見頂的擔憂與盈利預測持續上修形成罕見分歧，當前韓國半導體板塊

2026/09/29 13:10 UTC #HBM #股票 #DRAM #高盛 #半導體 #宏觀
三星高管：預計2027年HBM將佔DRAM產能近30%，傳統內存供應或進一步收緊並推高價格
據路透社報道，三星電子執行副總裁Kim Taewoo表示，高帶寬內存（HBM）預計將在2027年佔據全球DRAM行業晶圓總產能的近30%，高於目前約20%的水平。他指出，HBM與傳統DRAM共用同一晶圓產能，HBM的持續擴張將進一步壓縮傳統DRAM的供應空間。市場研究機構TrendForce預計，受AI服務器需求增長驅動，HBM與傳統DRAM對先進製程及晶圓產能的競爭將延續，疊加次世代產品良率與產

2026/09/29 12:48 UTC #HBM #三星 #AI服務器 #股票 #DRAM #宏觀
SK海力士表示，鑑於客户和政府的壓力，正考慮在美國建立一個完整的存儲器生產基地。
SK集團董事長崔泰元今年7月表示，由於客户和政府方面要求增加內存芯片供應的“巨大壓力”，因此有必要在美國建廠。該公司已着手籌建用於生產高價值AI內存的美國生產基地，投資超過40億美元的印第安納州工廠已於上月破土動工。該工廠將加工在韓國製造的先進DRAM晶圓，用於後續生產階段。

2026/09/27 05:17 UTC #美國投資 #AI內存 #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
三星電子第三季度營業利潤預計將首次突破100萬億韓元，DRAM利潤率或超80%
據DB Securities、Mirae Asset Securities和BNK Securities週日估計，三星電子第三季度營業利潤平均為107.7萬億韓元（約合795億美元），同比增長20.3%。儘管內存價格漲勢因人工智能驅動的生產轉移而降温，導致內存市場供應緊張，但DRAM利潤率仍有望超過80%。

2026/09/27 02:06 UTC #三星電子 #股票 #DRAM #港股
花旗報告：AI“持續學習”將致內存供需失衡，DRAM和NAND缺口料持續至2031年
花旗在9月14日的報告中指出，隨着AI邁入“持續學習”時代，HBM、服務器DDR5及企業級固態硬盤（eSSD）需求將從2027年起爆發性增長。花旗預計，DRAM供需比（S/D ratio）將在2027年和2028年分別惡化至-8.7%和-9.7%，NAND同期供需比亦將跌至-6.1%和-5.5%，供需失衡態勢料持續延伸至2031年。報告還預測，2027年全球內存資本支出將同比大增46.5%至804

2026/09/16 06:10 UTC #NAND #股票 #花旗 #DRAM #AI #宏觀
長鑫存儲二季度利潤率超越SK海力士和美光，預示存儲行業格局轉變
中國芯片製造商長鑫存儲技術有限公司（CXMT）在第二季度利用商品級DRAM供應緊張的機遇，實現了利潤率領先。其主要產品包括DDR5內存，該產品價格在近幾個月大幅上漲，對長期由韓國、美國和日本供應商主導的存儲行業構成了挑戰。

2026/09/10 17:10 UTC #長鑫存儲 #美光 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏觀
美光(Micron)第二季度DRAM市場份額升至23.3%，僅落後SK海力士1.6個百分點
市場研究機構TrendForce報告顯示，2026年第二季度全球DRAM收入環比增長約60%，其中美光(Micron)DRAM收入環比增長約66%至360億美元，市場份額達到23.3%。這使得美光僅落後SK海力士(SK Hynix)的24.9%市場份額1.6個百分點，有望很快超越其成為第二大DRAM供應商。三星電子(Samsung Electronics)以39.4%的市場份額位居第一。

2026/09/10 15:05 UTC #美光 #三星電子 #SK海力士 #DRAM #宏觀 #美股
海力士CEO稱其“美國製造”HBM產品將從韓國開始生產DRAM晶圓
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基儀式上表示，公司在印第安納州投資超40億美元建設的HBM生產基地將成為首批“美國製造”HBM產品的門户。然而，這些產品的DRAM晶圓仍將在韓國工廠生產，隨後運往美國印第安納州西拉斐特進行堆疊、封裝和測試。該工廠預計將於2026年下半年開始大規模生產，這是海力士在美國的首個HBM生產基地。

2026/09/03 05:29 UTC #海力士 #HBM #股票 #DRAM #美股
海力士與英偉達等客户簽訂7500億美元長期內存供應合同，管理層預計DRAM供應至少2030年才能趕上需求
雅虎財經分析指出，當前DRAM超級週期與AI建設直接相關，高帶寬內存（HBM）需求持續激增，但產能擴張受限，導致整體DRAM市場供不應求。海力士管理層預計，DRAM供應至少要到2030年才能趕上需求。該公司近期已與客户簽訂了價值7500億美元的長期內存芯片供應合同，其中5000億美元來自英偉達，雙方還將合作開發下一代內存。同時，美光也與16家客户簽訂了至2030年的不可取消長期合同，約佔其收入的4

2026/09/02 16:33 UTC #海力士 #股票 #DRAM #NVIDIA #AI #美股
戴爾Q2營收同比大增58%至470億美元，AI服務器積壓訂單達950億美元，大幅上調全年指引，COO稱“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM！”
戴爾公佈截至7月31日的2027財年第二季度業績，營收470億美元，同比增長58%，超出市場預期；非GAAP每股收益7.04美元，同比增長203%。公司將全年營收指引上調250億美元至1920億美元中值，同比增幅約70%。截至二季度末，戴爾AI服務器積壓訂單已達950億美元。副董事長兼首席運營官Jeff Clarke在電話會上強調，當前供應鏈的主要限制因素是DRAM，其次是NAND。

2026/09/02 02:00 UTC #戴爾 #AI服務器 #NAND #DRAM #宏觀 #美股
高盛預計中國半導體資本支出到2030年將達820億美元，長鑫存儲（CXMT）有望在2028年滿足中國50%的DRAM需求
高盛在一份報告中表示，隨着AI需求推動對先進芯片、存儲器和製造能力的投資，預計中國半導體自給自足的努力將加速。高盛預測，到2030年，中國的半導體資本支出將達到820億美元，比此前預期增長79%。報告還預計，到2035年，中國7納米及以下芯片的供應缺口將從2025年的92%縮小到34%。在存儲器方面，預計長鑫存儲（CXMT）到2028年將滿足中國50%的DRAM需求，這得益於產能擴張和良率提升。報

2026/08/27 11:23 UTC #長鑫存儲 #DRAM #高盛 #半導體 #宏觀 #A股
雅虎財經的分析顯示，有三隻科技類ETF——包括自4月上市以來漲幅已超過100%的Roundhill內存ETF（DRAM）——今年表現可能優於標普500指數。
該分析重點介紹了Roundhill內存ETF（DRAM），該基金主要投資於三星、美光和SK海力士等內存芯片製造商。此外，iShares半導體ETF（SOXX）——過去五年年化回報率達29.6%——以及投資範圍更為廣泛的先鋒信息技術指數基金（VGT）——過去十年年化回報率為24.3%——也被視為具有潛在超額收益能力的標的。

2026/08/25 12:35 UTC #VGT #SOXX #標普500指數 #DRAM #宏觀 #美股
分析認為，英偉達（Nvidia）財報發佈後，美光科技（Micron Technology）股價有望飆升
分析指出，美光科技作為英偉達高帶寬內存（HBM）的關鍵供應商之一，其股價表現與英偉達的業績緊密相關。市場普遍預計英偉達第二季度營收將達921億美元，同比增長97%。若英偉達業績強勁，將進一步驗證AI基礎設施超級週期，並推高HBM及DRAM的合約價格，從而利好美光科技的營收增長和利潤擴張。美光科技的HBM和DRAM產量已售罄，新產能正在上線，其股價在近期盤整後，有望在英偉達財報公佈後迎來上漲。

2026/08/24 17:10 UTC #HBM #美光科技 #DRAM #NVIDIA #宏觀 #美股
SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產
SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投

2026/08/15 18:16 UTC #NAND閃存 #HBM #SK海力士 #股票 #DRAM #大宗商品
高盛專家：HBM和DRAM訂單已售罄至2027年，但價格環比漲幅預計在2027年Q2-Q3見頂並温和回落
高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM訂單已售罄至2027年，長期協議設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。然而，他同時表示，存儲芯片價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後可能出現温和小幅回落。英偉達下一代“Vera Rubin”超級芯片中存儲成本已佔整體物料清單約6

2026/08/11 00:20 UTC #HBM #DRAM #高盛 #AI #宏觀 #美股
分析指出海力士和三星近期財報顯示內存芯片定價不及預期，或預示美光未來業績承壓
分析指出，海力士和三星近期公佈的財報顯示，其內存芯片（DRAM和NAND）定價漲幅低於分析師預期，這可能對美光科技未來的業績構成壓力。海力士DRAM定價環比上漲約30%，低於高盛分析師預期的39%；三星DRAM定價上漲逾40%，也未達到Morningstar分析師預期的48%。分析認為，定價不及預期可能表明人工智能（AI）需求增長正在放緩，且海力士報告稱HBM4芯片出貨量低於預期。此外，芯片製造

2026/08/10 00:13 UTC #海力士 #三星 #股票 #美光科技 #DRAM #美股
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