DRAM

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REX Shares推出DRAM每日表现的2倍收益的ETF RAM
Svmuu讯 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF（RAM）已上线交易。该产品为与 Roundhill 合作发行的唯一 2 倍杠杆 ETF，Roundhill 为 DRAM（Roundhill Memory ETF）发行方。 RAM 旨在提供 DRAM 每日表现的 2 倍收益，每日重置，面向活跃交易者。

2026/06/24 12:26 UTC #杠杆ETF #DRAM
彭博分析师：LeverageShares本周将推出3倍杠杆SpaceX ETF
Svmuu讯彭博高级 ETF 分析师 Eric Balchunas 在 X 平台表示，LeverageShares 将于本周五在推出 3 倍杠杆 SpaceX ETF。美元份额交易代码为 $ELON，英镑份额交易代码为 $MUSK。此外，该公司还将同时推出 3 倍杠杆的 SK Hynix ETF 和 3 倍杠杆 DRAM ETF，覆盖当前市场热门标的，分析 renewing 这些产品面向风险偏好

2026/06/10 14:31 UTC #DRAM #SpaceX #杠杆 #ETF
伯恩斯坦：DRAM与NAND合约价格涨涨涨，预计二季度环比上涨约60%
Svmuu讯伯恩斯坦最新月度追踪报告显示，DRAM与NAND合约价格在5月继续环比上涨，综合指标均指向2026年第二季度将录得约60%的环比涨幅，略高于该机构此前预测。报告显示，5月DRAM合约价格较4月进一步上涨，加权平均数据显示，2026年第二季度传统DRAM合约价格预计较2026年第一季度上涨64%。NAND方面，受移动NAND及SSD价格支撑，2026年第二季度混合均价涨幅预计约为60%

2026/06/04 13:20 UTC #NAND #大行评级 #DRAM
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SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年
SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年

2026/10/28 21:21 UTC #HBM #AI内存 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏观
美光CTO表示，公司不会追求4F²存储芯片，将继续专注于6F²和3D DRAM技术，尽管中国竞争对手长鑫存储（CXMT）在该领域取得了突破。
美光CTO表示，公司不会追求4F²存储芯片，将继续专注于6F²和3D DRAM技术，尽管中国竞争对手长鑫存储（CXMT）在该领域取得了突破。

2026/10/21 17:32 UTC #长鑫存储 #美光 #股票 #存储芯片 #DRAM #美股
高盛上调中国DRAM厂商长鑫科技目标价至130元，因Q3营收超预期30%且G5平台已量产
高盛发布最新研究报告，维持对中国DRAM厂商长鑫科技的“买入”评级，并将12个月目标价从129元小幅上调至130元。此次上调主要受长鑫科技披露的第三季度业绩预告驱动，高盛预计其Q3营收中值较此前预测高出约30%。此外，公司已于2026年9月正式量产第五代DRAM技术平台（G5），高盛认为这将全面打开增长空间，并据此上调公司2026年至2030年盈利预测。

2026/10/20 06:39 UTC #长鑫科技 #股票 #DRAM #高盛 #A股
长鑫存储（CXMT）股价下跌超6%，尽管预计2026年前三季度利润强劲
周一，长鑫存储（CXMT）股价下跌6.5%，尽管这家中国芯片制造商预计2026年前三季度净利润将达到1310亿元至1325亿元人民币（约合195.8亿美元），扭转了去年同期52.8亿元人民币的净亏损。该公司预计营收约为2650亿元至2700亿元人民币，并将业绩的显著改善归因于人工智能算力需求的快速增长，这提振了全球DRAM市场。2026年第三季度，长鑫存储在全球DRAM营收中占比10%，高于去年同

2026/10/19 02:01 UTC #长鑫存储 #股票 #DRAM #人工智能 #A股
中国存储芯片龙头长鑫科技预计前三季度净利润1310亿-1325亿元，同比扭亏为盈，营收增超七倍
中国存储芯片龙头长鑫科技发布业绩预告，预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润达1310亿元至1325亿元，较上年同期亏损52.80亿元实现大幅扭亏为盈。同期营业收入预计约为2650亿元至2700亿元，较上年同期320.84亿元增加逾2300亿元，同比增幅超过七倍。公司将业绩大幅改善归因于AI算力需求快速增长带动全球DRAM行业景气度提升，产品供不应求，价格大幅上涨。

2026/10/16 14:01 UTC #长鑫科技 #股票 #DRAM #AI算力 #A股
KeyBanc：预计HBM明年Q1涨价80%-100%，DRAM和NAND价格Q4涨15%-20%
KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在亚洲调研报告中指出，受AI数据中心需求驱动，高带宽内存（HBM）价格预计将在2027年第一季度环比上涨80%至100%，DRAM价格今年第四季度将环比上涨15%至20%，NAND涨幅约为20%。

2026/10/16 08:25 UTC #KeyBanc Capital Markets #HBM #NAND #股票 #DRAM #宏观
存储板块承压，美光闪迪周一领跌，因韩国市场补跌、回购结束及长鑫科技4F²架构进展
存储板块周一经历集中抛售，美光收跌3.88%，闪迪跌5.97%，美光距6月高点已跌近20%。此轮调整主要受三重冲击影响：韩国市场在韩文日假期后补跌，韩国综合指数（KOSPI）大跌3.65%；三星与SK海力士合计约400亿美元的回购计划提前结束，三星回购已于10月6日终止；以及中国长鑫科技（CXMT）在10月9日至10日宣布4F²新一代DRAM架构取得关键进展，并计划年底推出服务器内存产品，在单元架

2026/10/13 00:10 UTC #股票回购 #存储 #DRAM #半导体 #A股 #美股
麦肯锡上调2030年全球半导体市场规模预测44%至2.3万亿美元，主要由DRAM价格累计上涨6倍推动
麦肯锡最新研究将2030年全球半导体市场规模基准预测从2025年秋季的1.6万亿美元上调至2.3万亿美元，增幅约44%。报告指出，此次上调并非源于出货量增长，而是先进制程芯片和存储器平均销售价格（ASP）上涨所致，其中DRAM价格自2023年初以来已累计上涨约六倍，回到2011年高点。AI基础设施投资是这一结构性变化的核心驱动力，五大超大规模云计算服务商计划在2026年和2027年投入万亿美元用于

2026/10/02 11:27 UTC #麦肯锡 #股票 #DRAM #半导体 #AI #宏观
高盛：外资对韩国KOSPI半导体板块持仓降至历史低位，较历史均值低2.1个标准差
据高盛数据，外资对韩国KOSPI半导体板块的持仓比例已降至49.1%，较历史均值低2.1个标准差，且仓位流失几乎完全集中于存储芯片领域。与此同时，TrendForce预计2027年HBM将占据DRAM晶圆总投入的30%，高于2026年的22%，分析师对韩国科技板块2027年每股盈利共识预期在过去六个月内上调幅度高达122%。市场对存储周期见顶的担忧与盈利预测持续上修形成罕见分歧，当前韩国半导体板块

2026/09/29 13:10 UTC #HBM #股票 #DRAM #高盛 #半导体 #宏观
三星高管：预计2027年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧并推高价格
据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，高带宽内存（HBM）预计将在2027年占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。他指出，HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产

2026/09/29 12:48 UTC #HBM #三星 #AI服务器 #股票 #DRAM #宏观
SK海力士表示，鉴于客户和政府的压力，正考虑在美国建立一个完整的存储器生产基地。
SK集团董事长崔泰元今年7月表示，由于客户和政府方面要求增加内存芯片供应的“巨大压力”，因此有必要在美国建厂。该公司已着手筹建用于生产高价值AI内存的美国生产基地，投资超过40亿美元的印第安纳州工厂已于上月破土动工。该工厂将加工在韩国制造的先进DRAM晶圆，用于后续生产阶段。

2026/09/27 05:17 UTC #美国投资 #AI内存 #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
三星电子第三季度营业利润预计将首次突破100万亿韩元，DRAM利润率或超80%
据DB Securities、Mirae Asset Securities和BNK Securities周日估计，三星电子第三季度营业利润平均为107.7万亿韩元（约合795亿美元），同比增长20.3%。尽管内存价格涨势因人工智能驱动的生产转移而降温，导致内存市场供应紧张，但DRAM利润率仍有望超过80%。

2026/09/27 02:06 UTC #三星电子 #股票 #DRAM #港股
花旗报告：AI“持续学习”将致内存供需失衡，DRAM和NAND缺口料持续至2031年
花旗在9月14日的报告中指出，随着AI迈入“持续学习”时代，HBM、服务器DDR5及企业级固态硬盘（eSSD）需求将从2027年起爆发性增长。花旗预计，DRAM供需比（S/D ratio）将在2027年和2028年分别恶化至-8.7%和-9.7%，NAND同期供需比亦将跌至-6.1%和-5.5%，供需失衡态势料持续延伸至2031年。报告还预测，2027年全球内存资本支出将同比大增46.5%至804

2026/09/16 06:10 UTC #NAND #股票 #花旗 #DRAM #AI #宏观
长鑫存储二季度利润率超越SK海力士和美光，预示存储行业格局转变
中国芯片制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）在第二季度利用商品级DRAM供应紧张的机遇，实现了利润率领先。其主要产品包括DDR5内存，该产品价格在近几个月大幅上涨，对长期由韩国、美国和日本供应商主导的存储行业构成了挑战。

2026/09/10 17:10 UTC #长鑫存储 #美光 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏观
美光(Micron)第二季度DRAM市场份额升至23.3%，仅落后SK海力士1.6个百分点
市场研究机构TrendForce报告显示，2026年第二季度全球DRAM收入环比增长约60%，其中美光(Micron)DRAM收入环比增长约66%至360亿美元，市场份额达到23.3%。这使得美光仅落后SK海力士(SK Hynix)的24.9%市场份额1.6个百分点，有望很快超越其成为第二大DRAM供应商。三星电子(Samsung Electronics)以39.4%的市场份额位居第一。

2026/09/10 15:05 UTC #美光 #三星电子 #SK海力士 #DRAM #宏观 #美股
海力士CEO称其“美国制造”HBM产品将从韩国开始生产DRAM晶圆
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基仪式上表示，公司在印第安纳州投资超40亿美元建设的HBM生产基地将成为首批“美国制造”HBM产品的门户。然而，这些产品的DRAM晶圆仍将在韩国工厂生产，随后运往美国印第安纳州西拉斐特进行堆叠、封装和测试。该工厂预计将于2026年下半年开始大规模生产，这是海力士在美国的首个HBM生产基地。

2026/09/03 05:29 UTC #海力士 #HBM #股票 #DRAM #美股
海力士与英伟达等客户签订7500亿美元长期内存供应合同，管理层预计DRAM供应至少2030年才能赶上需求
雅虎财经分析指出，当前DRAM超级周期与AI建设直接相关，高带宽内存（HBM）需求持续激增，但产能扩张受限，导致整体DRAM市场供不应求。海力士管理层预计，DRAM供应至少要到2030年才能赶上需求。该公司近期已与客户签订了价值7500亿美元的长期内存芯片供应合同，其中5000亿美元来自英伟达，双方还将合作开发下一代内存。同时，美光也与16家客户签订了至2030年的不可取消长期合同，约占其收入的4

2026/09/02 16:33 UTC #海力士 #股票 #DRAM #英伟达 #AI #美股
戴尔Q2营收同比大增58%至470亿美元，AI服务器积压订单达950亿美元，大幅上调全年指引，COO称“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM！”
戴尔公布截至7月31日的2027财年第二季度业绩，营收470亿美元，同比增长58%，超出市场预期；非GAAP每股收益7.04美元，同比增长203%。公司将全年营收指引上调250亿美元至1920亿美元中值，同比增幅约70%。截至二季度末，戴尔AI服务器积压订单已达950亿美元。副董事长兼首席运营官Jeff Clarke在电话会上强调，当前供应链的主要限制因素是DRAM，其次是NAND。

2026/09/02 02:00 UTC #戴尔 #AI服务器 #NAND #DRAM #宏观 #美股
高盛预计中国半导体资本支出到2030年将达820亿美元，长鑫存储（CXMT）有望在2028年满足中国50%的DRAM需求
高盛在一份报告中表示，随着AI需求推动对先进芯片、存储器和制造能力的投资，预计中国半导体自给自足的努力将加速。高盛预测，到2030年，中国的半导体资本支出将达到820亿美元，比此前预期增长79%。报告还预计，到2035年，中国7纳米及以下芯片的供应缺口将从2025年的92%缩小到34%。在存储器方面，预计长鑫存储（CXMT）到2028年将满足中国50%的DRAM需求，这得益于产能扩张和良率提升。报

2026/08/27 11:23 UTC #长鑫存储 #DRAM #高盛 #半导体 #宏观 #A股
雅虎财经的分析显示，有三只科技类ETF——包括自4月上市以来涨幅已超过100%的Roundhill内存ETF（DRAM）——今年表现可能优于标普500指数。
该分析重点介绍了Roundhill内存ETF（DRAM），该基金主要投资于三星、美光和SK海力士等内存芯片制造商。此外，iShares半导体ETF（SOXX）——过去五年年化回报率达29.6%——以及投资范围更为广泛的先锋信息技术指数基金（VGT）——过去十年年化回报率为24.3%——也被视为具有潜在超额收益能力的标的。

2026/08/25 12:35 UTC #VGT #SOXX #标普500指数 #DRAM #宏观 #美股
分析认为，英伟达（Nvidia）财报发布后，美光科技（Micron Technology）股价有望飙升
分析指出，美光科技作为英伟达高带宽内存（HBM）的关键供应商之一，其股价表现与英伟达的业绩紧密相关。市场普遍预计英伟达第二季度营收将达921亿美元，同比增长97%。若英伟达业绩强劲，将进一步验证AI基础设施超级周期，并推高HBM及DRAM的合约价格，从而利好美光科技的营收增长和利润扩张。美光科技的HBM和DRAM产量已售罄，新产能正在上线，其股价在近期盘整后，有望在英伟达财报公布后迎来上涨。

2026/08/24 17:10 UTC #HBM #美光科技 #DRAM #英伟达 #宏观 #美股
SK海力士批准投资380亿美元建设新内存晶圆厂，预计2028年12月前不会投产
SK海力士董事会于8月7日批准了总计54.3万亿韩元（约合380亿美元）的投资，用于建设两座新工厂。其中，35.2万亿韩元将用于龙仁的Y2工厂，生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM；其余19.1万亿韩元将用于清州的M17工厂，生产NAND闪存。M17工厂预计2027年2月动工，首个洁净室将于2028年12月开放；Y2工厂预计2027年7月动工，首个洁净室将于2029年6月开放。公司表示，此项投

2026/08/15 18:16 UTC #NAND闪存 #HBM #SK海力士 #股票 #DRAM #大宗商品
高盛专家：HBM和DRAM订单已售罄至2027年，但价格环比涨幅预计在2027年Q2-Q3见顶并温和回落
高盛欧洲TMT专家Sean Johnstone在最新报告中指出，HBM（高带宽内存）和DRAM订单已售罄至2027年，长期协议设有价格下限，毛利率仍维持在70%中高段水平，AI结构性需求将供给持续压紧至2028年。然而，他同时表示，存储芯片价格环比涨幅已在减速，预计将在2027年二季度至三季度见顶，随后可能出现温和小幅回落。英伟达下一代“Vera Rubin”超级芯片中存储成本已占整体物料清单约6

2026/08/11 00:20 UTC #HBM #DRAM #高盛 #AI #宏观 #美股
分析指出海力士和三星近期财报显示内存芯片定价不及预期，或预示美光未来业绩承压
分析指出，海力士和三星近期公布的财报显示，其内存芯片（DRAM和NAND）定价涨幅低于分析师预期，这可能对美光科技未来的业绩构成压力。海力士DRAM定价环比上涨约30%，低于高盛分析师预期的39%；三星DRAM定价上涨逾40%，也未达到Morningstar分析师预期的48%。分析认为，定价不及预期可能表明人工智能（AI）需求增长正在放缓，且海力士报告称HBM4芯片出货量低于预期。此外，芯片制造

2026/08/10 00:13 UTC #海力士 #三星 #股票 #美光科技 #DRAM #美股
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