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DRAM
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アナリストはSKハイニックスの第2四半期の利益予想を下方修正したが、長期的な利益成長は継続すると見込んでいる
Svmuuの報道によると、Citriniのアナリストjukan氏はXプラットフォームで次のように投稿した。KIS Semiconのアナリスト、Minsook Chae氏は、SKハイニックスの2026年第2四半期の営業利益を60.4兆ウォンと予測している。これは前四半期比61％増、前年同期比556％増となるが、市場コンセンサスの65兆ウォンを8％下回る見込みだ。 同アナリストは、予想を下方修正した主
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Citriniのアナリスト：中国CXMTがボンディングDRAMの試験生産ラインをテスト中、韓国メディアは同社の技術と開発スピードが韓国の競合他社をリードしている可能性があると報じている
Svmuuニュース：Citriniのアナリストjukan氏はXプラットフォームで、韓国メディアの報道によると、中国のCXMTが現在、合肥でボンディングDRAMの試作ラインをテストしており、EUVリソグラフィーを使用せずに高性能DRAMの実現を目指していると述べた。ボンディングDRAMとは、メモリセルアレイと周辺回路を別々のウェハー上で製造し、その後ボンディングを行う技術である。この方法では、多重露
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Citriniのアナリスト：UBSがDRAMおよびNANDの価格予想を引き上げ
Svmuuの報道によると、CitriniのアナリストJukan氏はXプラットフォームで、UBSがDRAMおよびNANDの価格見通しを引き上げたと投稿した。現在、DRAM価格は第3四半期に前四半期比32％上昇、第4四半期には同18％上昇すると予想されている。NAND価格は第3四半期に前四半期比30％上昇、第4四半期には前四半期比12％上昇すると見込まれている。
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報道によると、サムスン電子は第3四半期のDRAM価格を最大20％引き上げる見通しだ
Svmuuニュース 業界関係者によると、3日、サムスン電子は現在、顧客と交渉を行っており、今年の第3四半期のDRAMの平均販売価格を前四半期比で20％引き上げることを目標としている。（ZDNET Korea）
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Atreidesの創業者：DRAMは常にAIにとって最大のボトルネックであり、2027年にはデータセンターの設備投資の30～40％を占める見込み
Svmuuニュース：Atreides Managementの創業者兼最高投資責任者（CIO）であるギャビン・ベイカー氏は、最新回の「All In」ポッドキャストに出演し、AI競争における「ボトルネック」問題について言及した。 Gavin氏は、DRAMが常に最も重要なボトルネックであると指摘した。ソーシャルメディア上にはこのボトルネック問題に非常に注目している人々がおり、彼らはClaudeで検索して
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長鑫ストレージ、テンセントと30億ドルのメモリチップ供給契約を締結
Svmuuニュース ロイター通信の報道によると、事情に詳しい3人の情報筋が明らかにしたところによると、中国のメモリチップメーカーである長鑫ストレージ（CXMT）は、テンセント・ホールディングスと、契約額が200億元（約29.4億米ドル）を超える長期供給契約を締結した。この大型受注は、長鑫ストレージが注目を集める新規株式公開（IPO）に先立って成立したものだ。 事情に詳しい関係者によると、この契約は
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シティグループ：アップルが長鑫ストレージのメモリに関心を示すことで、同社の世界的な地位が向上する見込み
Svmuuニュース シティグループは、アップルが長鑫ストレージのメモリに関心を示しているとの報道について、この評価により、長鑫ストレージは「中国国産代替のストーリー」から「信頼性のある世界第4位のDRAMメーカー」へと転換したと述べた。シティグループは、このニュースが長鑫ストレージおよびそのサプライチェーン（設備サプライヤーやOSAT（外注封止・テスト）メーカーを含む）にとってプラス材料となると予
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DRAM ETFは兆易創新をポートフォリオに組み入れ、その保有比率は2.91%に達している。
Svmuuニュース 公開情報によると、Roundhill Memory ETF（DRAM）は兆易創新をポートフォリオに組み入れ、そのウェイトは2.91％となっている。Citrini Researchのアナリスト、Jukan氏は、兆易創新は中国のDRAMメーカーである長鑫存储の親会社または関連企業と見なされていると述べた。Roundhill Memory ETFは主に世界のメモリチップ産業チェーンに
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過去最高を更新、2026年の世界の半導体市場規模は1.5兆ドルを超えると予測される
Svmuuニュース 世界半導体貿易統計機構（WSTS）は最近、AIブームに牽引され、2026年の世界の半導体市場規模は1.5兆ドルを超え、過去最高を記録するとの予測を発表した。半導体業界は、AI需要を軸に再編を加速させている。業界調査機関の報告によると、今年第1四半期のDRAM市場の売上高は970億ドルに達し、前年同期比260％増となり、過去最高を記録した。その中でサムスン電子が約38％の市場シェ
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レノボ：DRAMとNANDの価格上昇は「ニューノーマル」となり、2030年以降も続く見通し
Svmuuの報道によると、Citriniのアナリストjukan氏はXプラットフォームで、レノボがメモリ価格の上昇を「ニューノーマル」と位置付けていると述べた。DRAMおよびNANDフラッシュメモリの価格はすでに構造的な上昇サイクルに入っており、主要サプライヤーが生産拡大を続けたとしても、価格が2025年初めの水準に戻る可能性は低いという。コスト上昇は業界全体に波及しており、今後、PCやスマートフォ
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国金証券：マイクロン 技術革新により長期契約の履行が促進され、需給ギャップは継続する見通し
Svmuuニュース 国金証券のリサーチレポートによると、マイクロン科技は長期契約の締結を推進しており、需給ギャップは継続する見通しである。マイクロン科技はすでに顧客と16件のSCA（戦略的顧客協力協定）を締結しており、下流市場にはデータセンター、民生用電子機器、自動車市場が含まれる。SCAのうち、自動車業界の顧客との契約期間は3年、その他の顧客とは基本的に5年となっている。16件のSCAは、すでに
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REX Sharesは、DRAMの1日当たりのパフォーマンスの2倍のリターンを目指すETF「RAM」を発売した。
Svmuuニュース：Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF（RAM）の取引が開始されました。本商品は、DRAM（Roundhill Memory ETF）の発行元であるRoundhillと提携して発行された、唯一の2倍レバレッジETFです。 RAMは、DRAMの1日あたりのパフォーマンスの2倍のリターンを提供することを目的としており、毎日リセット
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彭博アナリスト：LeverageShares、今週3倍レバレッジSpaceX ETFを発売へ
Svmuu訊 ブルームバーグのシニアETFアナリスト、Eric Balchunas氏はXプラットフォームで、LeverageSharesが今週金曜日に3倍レバレッジのSpaceX ETFを発売すると述べた。米ドル建ての取引コードは「$ELON」、英ポンド建ての取引コードは「$MUSK」。さらに、同社は同時に3倍レバレッジのSK Hynix ETFと3倍レバレッジのDRAM ETFも発売し、現在の市
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伯恩斯坦：DRAMとNANDの契約価格が上昇、第2四半期は前期比約60%増の見通し
Svmuuの報道によると、バーンスタインの最新月次トラッキングレポートで、DRAMとNANDの契約価格が5月も前月比で上昇を続け、総合指標は2026年第2四半期に前期比約60%の上昇を見込んでおり、同機関の従来予測をやや上回りました。レポートによると、5月のDRAM契約価格は4月からさらに上昇し、加重平均データでは、2026年第2四半期の従来型DRAM契約価格は2026年第1四半期比で64%上昇す
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CXMTの第2四半期利益率がSKハイニックスとマイクロンを上回り、ストレージ業界の構図変化を予告
中国の半導体メーカーである長鑫存儲技術有限公司（CXMT）は、第2四半期にコモディティDRAMの供給逼迫の機会を捉え、利益率で先行しました。同社の主要製品であるDDR5メモリは、ここ数カ月で価格が大幅に上昇しており、長らく韓国、米国、日本のサプライヤーが支配してきたストレージ業界に挑戦しています。
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マイクロン、第2四半期のDRAM市場シェアが23.3%に上昇、SKハイニックスにわずか1.6ポイント差
市場調査会社TrendForceの報告によると、2026年第2四半期の世界のDRAM売上高は前期比約60%増加し、そのうちマイクロン(Micron)のDRAM売上高は前期比約66%増の360億ドルに達し、市場シェアは23.3%となった。これにより、マイクロンはSKハイニックス(SK Hynix)の市場シェア24.9%にわずか1.6ポイント差まで迫り、間もなく2位のDRAMサプライヤーに浮上する可能
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SKハイニックスCEO、米国製HBM製品は韓国でDRAMウェハーの生産を開始すると発言
SKハイニックスのクァク・ノジョンCEOは8月26日の起工式で、インディアナ州に40億ドル以上を投じて建設するHBM生産拠点が、初の「米国製」HBM製品のゲートウェイとなると述べた。しかし、これらの製品のDRAMウェハーは引き続き韓国工場で生産され、その後、積層、パッケージング、テストのために米国インディアナ州ウェストラファイエットに輸送される。この工場は2026年下半期に量産を開始する予定で、S
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SKハイニックスはNVIDIAなどの顧客と7500億ドルの長期メモリー供給契約を締結し、経営陣はDRAMの供給が少なくとも2030年まで需要に追いつかないと予測している。
Yahoo Financeの分析によると、現在のDRAMスーパーサイクルはAI構築と直接関連しており、高帯域幅メモリ（HBM）の需要は急増を続けているものの、生産能力の拡大が制限されているため、DRAM市場全体が供給不足に陥っています。SKハイニックスの経営陣は、DRAMの供給が需要に追いつくのは少なくとも2030年になると予測しています。同社は最近、顧客と総額7500億ドルの長期メモリチップ供給
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デルの第2四半期売上高は前年同期比58%増の470億ドルに達し、AIサーバーの受注残は950億ドルに上った。通期ガイダンスを大幅に上方修正し、COOは「不足しているのはDRAM、DRAM、DRAMだ！」と述べた。
デルは、2027年度第2四半期（7月31日終了）の業績を発表しました。売上高は前年同期比58%増の470億ドルで、市場予想を上回りました。非GAAPベースの1株当たり利益は7.04ドルで、前年同期比203%増となりました。同社は通期の売上高見通しを250億ドル上方修正し、中央値で1920億ドルと、前年比約70%増を見込んでいます。第2四半期末時点で、デルのAIサーバーの受注残高は950億ドルに達し
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ゴールドマン・サックスは、中国の半導体設備投資が2030年までに820億ドルに達すると予測しており、CXMT（CXMT）は2028年までに中国のDRAM需要の50%を満たす可能性があると見ています。
ゴールドマン・サックスはレポートで、AI需要が先端チップ、メモリ、製造能力への投資を促進するにつれて、中国の半導体自給自足への取り組みが加速すると予想している。ゴールドマン・サックスは、中国の半導体設備投資が2030年までに820億ドルに達し、以前の予測から79%増加すると予測している。レポートはまた、中国の7nm以下のチップの供給ギャップが、2025年の92%から2035年には34%に縮小すると
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雅フーファイナンスの分析によると、3つのテクノロジー系ETF（4月に上場して以来100%以上上昇しているRoundhill DRAM ETFを含む）が、今年S&P 500指数を上回るパフォーマンスを示す可能性がある。
この分析では、主にサムスン、マイクロン、SKハイニックスなどのメモリチップメーカーに投資するRoundhillメモリETF（DRAM）に焦点を当てています。さらに、過去5年間で年率29.6%のリターンを記録したiShares半導体ETF（SOXX）と、より広範な投資範囲を持つVanguard情報技術インデックスファンド（VGT）—過去10年間で年率24.3%のリターンを記録—も、潜在的な超過収益能
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分析によると、NVIDIA（エヌビディア）の決算発表後、マイクロン・テクノロジー（Micron Technology）の株価は急騰する可能性がある。
アナリストは、マイクロンテクノロジーがNVIDIAの高帯域幅メモリ（HBM）の主要サプライヤーの1つであるため、その株価パフォーマンスはNVIDIAの業績と密接に関連していると指摘しています。市場では、NVIDIAの第2四半期売上高が前年同期比97%増の921億ドルに達すると広く予想されています。NVIDIAの業績が好調であれば、AIインフラのスーパーサイクルがさらに裏付けられ、HBMとDRAMの
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SKハイニックスは、380億ドルを投じて新たなメモリウェハー工場を建設することを承認しましたが、2028年12月までは生産開始されない見込みです。
SKハイニックスの取締役会は8月7日、総額54兆3,000億ウォン（約380億ドル）を投じて2つの新工場を建設することを承認しました。このうち、35兆2,000億ウォンは龍仁のY2工場に充てられ、高帯域幅メモリ（HBM）と次世代DRAMを生産します。残りの19兆1,000億ウォンは清州のM17工場に充てられ、NANDフラッシュメモリを生産します。M17工場は2027年2月に着工し、最初のクリーンル
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ゴールドマン・サックスの専門家：HBMとDRAMの注文は2027年まで完売しているが、価格の前月比上昇率は2027年第2四半期から第3四半期にピークを迎え、緩やかに下落すると予想される
ゴールドマン・サックスの欧州TMT専門家であるショーン・ジョンストン氏は最新レポートで、HBM（高帯域幅メモリ）とDRAMの受注が2027年まで完売しており、長期契約には価格下限が設定され、粗利益率は70%台半ばから後半を維持していると指摘しました。AIの構造的需要により、供給は2028年まで引き続き逼迫すると見られています。しかし、同氏は同時に、ストレージチップの価格上昇率は減速しており、202
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分析によると、SKハイニックスとサムスンの最近の決算報告では、メモリチップの価格が予想を下回っており、マイクロンの将来の業績に圧力がかかる可能性が示唆されています。
分析によると、SKハイニックスとサムスンが最近発表した決算報告では、メモリチップ（DRAMとNAND）の価格上昇がアナリストの予想を下回っており、これが将来的にマイクロン・テクノロジーの業績に圧力をかける可能性がある。SKハイニックスのDRAM価格は前期比で約30%上昇したが、ゴールドマン・サックスのアナリストが予想した39%を下回った。サムスンのDRAM価格は40%以上上昇したが、Morning
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SKハイニックスの取締役会は、韓国に2つの新しいウェーハ工場を建設するため、約382億8200万ドル（54兆3000億ウォン）の投資を承認しました。
この動きは、AIが牽引するHBMおよび先進ストレージ需要の増加に対応するため、DRAMとNANDの生産拠点を拡大することを目的としています。具体的には、龍仁Y2工場はHBMと次世代DRAMに注力し、清州M17工場はNAND生産能力を強化します。両工場は早ければ2028年末から2029年にかけて順次稼働を開始し、2031年までに投資を完了する予定で、生産能力は顧客の需要に応じて段階的に拡大されます。
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カウンターポイント：サムスン電子は2026年第2四半期に39%の市場シェアで世界のDRAM市場首位に返り咲き、SKハイニックスとマイクロンがそれに続く
市場調査会社Counterpoint Researchの最新レポートによると、サムスン電子は2026年第2四半期にDRAM市場で首位の座を奪還し、SKハイニックスに追い抜かれていた状況に終止符を打ちました。同時期、SKハイニックスの市場シェアは26%で、マイクロンテクノロジーが25%でそれに続きました。サムスンの今回の逆転は、主に汎用DRAM価格の上昇とHBM（広帯域メモリ）事業の拡大によるもので
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中国のDRAMメーカーCXMT、上場初日に株価が466%急騰し86億ドルを調達。アナリストは、この動きがAppleのサプライチェーンの柔軟性を高める一方で、マイクロンにとって長期的な価格競争の脅威となると分析。
CXMTは7月27日の上場初日に終値49元を記録し、発行価格8.66元から466%上昇しました。今回のIPOで約86億ドルを調達し、今年アジア最大のIPOとなりました。アナリストは、CXMTの台頭がApple社にとって潜在的なサプライヤーの選択肢を増やし、サプライチェーンの柔軟性向上に貢献すると分析していますが、価格への影響はまだ不明です。 マイクロンにとって、CXMTの拡大は消費者向けおよびサー
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アナリスト：中国のDRAMメーカーは2027年に3D DRAMの研究開発をさらに推進する見通し
Svmuuニュース：Citriniのアナリストjukan氏はXプラットフォームで、ゴールドマン・サックスが中国のDRAM業界の専門家と電話で話した際、同専門家は、歩留まりは低くなる可能性があるものの、中国のサプライヤーが提供するDRAM価格は世界のトップ企業と同等になるとの見解を示したと投稿した。中国のDRAMメーカーは2027年までに3D DRAM製品の開発においてさらなる進展を遂げる可能性があ
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トム・リー：AI関連資産のパフォーマンスは引き続き堅調で、イーサリアムはここ1ヶ月でDRAMを72パーセントポイント上回った
Svmuuの報道によると、Bitmine会長兼Fundstrat共同創業者であるトム・リー氏は、「AIダウンストリーム」関連資産の相対的なパフォーマンスが引き続き強化されており、中でもイーサリアム（ETH）は、DRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）セクターと比較して、最近顕著なアウトパフォームを見せていると述べた。 トム・リー氏が開示したデータによると、過去1か月間で、ETHのDRA
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モルガン・スタンレー：米国のメモリ株の売り浴びせは「健全なリセット」であり、景気サイクルの転換点ではない
Svmuuニュース 市場情報によると、モルガン・スタンレーのアナリストは、最近の米国メモリ株の売り浴びせを「健全なリセット」と表現し、これがメモリサイクルの転換点ではないとの見解を示した。モルガン・スタンレーは、2026年第3四半期のDRAM価格が前四半期比で20～30％以上上昇する可能性があると予測している。この見通しは一部の流通チャネルや製品カテゴリーに基づくものであり、業界全体のサーバー用D
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DRAM価格の見通し上方修正：第3四半期の平均価格は前四半期比21％上昇の見込み、TrendForceの予測を上回る
Svmuuニュース 最新の業界調査によると、世界のDRAM市場における第3四半期の平均販売価格（ASP）は、前四半期比で21％上昇すると予想されている。この見通しは、TrendForceが以前予測していた、従来型DRAMの価格が13％～18％上昇し、HBMを含む全体では8％～13％上昇するという予測を上回るものである。 分析によると、第3四半期のDRAM価格上昇は、主に以下の複数の要因によって牽引
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モルガン・スタンレー：DRAMの契約価格の上昇率は第4四半期にピークを迎える可能性、メモリ企業のバリュエーションは再評価が必要
Svmuuニュース モルガン・スタンレーは、メモリ業界に関する最新の見解を発表し、DRAMの契約価格の前年同期比伸び率が2026年第4四半期にピークに達すると予測した。同レポートによると、第4四半期以降、DRAM価格の前年同期比上昇率は大幅に鈍化し、過去1年間で価格が4倍に急騰したような相場は再現されにくいと指摘している。また、同機関は、現在のメモリチップ企業の今後12ヶ月間の予想PBR（株価純資
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長鑫科技：2023年から2025年にかけての主要DRAM製品の販売数量の年平均複合成長率は83.98％に達する見込み
Svmuuニュース 7月15日、長鑫科技の科創板上場に向けたオンライン投資家懇談会が開催された。同社の2023年から2025年にかけての売上高の急速な伸びの要因について、長鑫科技の朱一明会長は、生産能力と市場シェアの急速な拡大を実現するため、同社は常に生産能力の拡張および稼働段階にあり、生産能力の急速な拡大に伴う生産量および販売量の増加が、2023年から2025年にかけての売上高増加の最も主要な要
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長鑫科技は、AIの発展がDRAM市場の需要に不確実性をもたらすと指摘した
Svmuuの報道によると、長鑫科技の副社長兼取締役会秘書である袁園氏は、2025年下半期以降の業績拡大は、AIによるDRAM需要の増加および業界の需給逼迫による恩恵を受けたものであると述べた。しかし、DRAM業界は強い周期性を持ち、価格変動が激しく、またAIの発展がDRAM市場の需要に与える影響には不確実性がある。同社は今後も技術革新、生産能力の最適化、コスト管理を通じて景気変動への耐性を高め続け
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サムスン電子は器興に新たなDRAM工場を建設する計画で、月間生産能力は10万枚のウェハーに達する見込みだ。
Svmuuの報道によると、Citriniのアナリストjukan氏はXプラットフォームで、サムスン電子が器興（ギフン）キャンパスに新たなDRAMウェハー工場を建設する計画であり、当初は研究開発センターとして予定されていた敷地をメモリ生産施設に転用すると述べた。同施設の月間生産能力は約10万枚と見込まれ、総投資額は数十兆ウォンに達すると予想される。サムスン電子はすでに新ウェハー工場の建設を推進するため
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あるアドレスが3,603万ドルの損失を出した後、再び清算された。過去1週間の清算による損失は84.17万ドルだった。
Svmuuニュース：Onchain Lensのモニタリングによると、あるアドレスがHyperliquid上で再び清算され、274万米ドルのDRAMロングポジションが清算され、約33.65万米ドルの損失を被った。同ウォレットは6日前にもMRVLの清算により約50.52万ドルの損失を被っており、過去1週間の清算による損失は約84.17万ドルに上り、現在の損失総額は3603万ドルとなっている。
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SKハイニックス、龍仁のY1ウェハー工場の設備調達を開始、来年2月に試作ラインの建設を計画
Svmuuの報道によると、SKハイニックスは韓国・龍仁にあるY1ウェハー工場のための最先端DRAM製造装置の調達を開始しており、当初の生産能力計画は月間約2万枚となっている。SKハイニックスは、Y1 Ph1の稼働開始時期を当初の来年5月から来年2月に前倒しし、来年2月に試験生産ラインの建設を開始した後、3月から4月にかけて大規模な設備設置を進める計画だ。同ファブでは、第6世代となる10ナノメートル
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