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存储芯片
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兆易创新：后续伴随利基存储市场产能边际增加，价格将出现相当幅度的回落
Svmuu讯 兆易创新发布异动公告，公司股票价格自 2026 年 6 月 15 日至 2026 年 6 月 29 日连续 10 个交易日内日收盘价涨幅偏离值累计达到 73.42%，自 2026 年 5 月 18 日至 2026 年 6 月 29 日连续 30 个交易日内日收盘价格涨幅偏离值累计达到 125.60%。 公司目前所经营的存储产品属于利基存储产品，即主要供给的下游为除手机、PC、服务器以
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分析：美股存储板块回调或因三星与SK海力士供应扩张预期
Svmuu讯 美股今日开盘后存储板块承压，美光科技、闪迪股价均大幅下跌，分析指出，三星与 SK 海力士此前公布约 800 万亿韩元投资计划建设新芯片制造枢纽，合计约占全球存储芯片三分之二产能，此次新增产能规划可能对 FY27–FY28 供给曲线形成新的预期压力，重新引发市场对行业供需平衡的讨论，目前市场反应已呈现分化：DRAM/NAND 直接标的承压更明显，而以存储结构或硬盘业务为主的公司表现相对
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美股存储板块持续走低，美光闪迪股价分别跌6%、8%
Svmuu讯 根据 MSX.COM 数据，美股存储板块持续走低，美光科技股价下跌 6%，报 1064.34 美元/股。闪迪股价下跌 7.8%，报 1931.160 美元/股。二者成交量分列美股所有股票第一位、第二位。铠侠 ADR 跌 7%。消息上，韩国产业通商资源部长官金正官 29 日表示，预计在五年内将 DRAM 生产能力翻倍，预计全球内存市场将在 5 年内增长四倍。
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长鑫存储获腾讯30亿美元存储芯片供应协议
Svmuu讯 据路透社报道，三位知情人士透露，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已与腾讯控股签署一项长期供货协议，合同金额超过 200 亿元人民币（约合 29.4 亿美元）。这项重大订单是在长鑫存储备受瞩目的首次公开募股（IPO）前达成的。 知情人士表示，该协议涵盖未来数年的服务器 DRAM 芯片供应。其中，两位消息人士称合同期限最长为 3 年，另一位则表示最长可达 5 年。由于相关信息属于保
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DRAM ETF已将兆易创新纳入持仓，持仓权重达2.91%
Svmuu讯 根据公开信息，Roundhill Memory ETF(DRAM) 已将兆易创新纳入持仓，权重为 2.91%。Citrini Research 分析师 Jukan 表示，兆易创新被视为中国 DRAM 厂商长鑫存储的母公司或关联实体。Roundhill Memory ETF 主要聚焦全球存储芯片产业链，核心持仓包括 Samsung Electronics、Micron Technolo
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美股光通信板块集体低开，存储芯片概念走低，美光科技跌超6%
Svmuu讯 据 MSX.COM 数据，美股存储芯片概念走低，闪迪、美光科技跌超 6%，西部数据、迈威尔科技跌超 4%。安森美半导体跌超 17%，公司拟 62 亿美元全股票收购芯片设计公司 Synaptics。光通信板块集体低开。Lumentum、Coherent 跌超 7%，迈威尔科技、Credo 跌超 5%，康宁跌近 3%。
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观点：若苹果都无法消化成本上涨，市场质疑存储芯片利润率可持续性
Svmuu讯 韩国股市大幅下跌，芯片股再度遭遇抛售，凸显其对全球人工智能投资情绪波动的高度敏感性。韩国 KOSPI 指数周五盘中跌超 8%，抹去前一交易日的全部涨幅，并触发市场熔断机制，三星电子和 SK 海力士股价均跌约 9%。外资在早盘交易中抛售了 2.5 万亿韩元（约合 16 亿美元）的 KOSPI 股票。 此次大跌标志着周四大涨的快速逆转，当时美光科技发布乐观业绩展望，以及 SK 海力士计划
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SK海力士赴美上市倒计时，300亿美元融资或撬动估值重估
Svmuu讯 据美媒报道，SK 海力士预计于 7 月 10 日在纳斯达克发行美国存托凭证。此次上市计划筹集近 300 亿美元，有望成为史上规模最大的 ADR 发行之一。市场普遍认为，此举将显著扩大其全球投资者基础，并可能推动估值重估。 多家资产管理公司预计，若其估值向美光靠拢，未来一年股价有 30%的上涨空间。一位基金经理指出，SK 海力士至少应以与美光相当的估值水平交易，因为未来数年存储芯片需求
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美股存储板块盘前上涨，美光科技、ARM、高通涨超3%
Svmuu讯 据 MSX 数据，美股存储芯片、光通信盘前走高，美光科技、ARM、高通涨超 3%，西部数据、闪迪、Credo 涨逾 2%，英特尔、康宁、迈威尔科技、AMD、Lumentum、Coherent 涨超 1%。
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韩国6月前20日存储芯片初步出口同比大幅增长，SSD同比增长405%
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩国 6 月 1 日至 20 日初步出口数据显示，DRAM 含模块同比增长 342%、环比增长 3%；闪存 NAND 同比增长 336%、环比增长 28%；MCP 即 HBM 同比增长 209%、环比增长 51%；SSD 同比增长 405%、环比增长 25%。
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Roundhill Memory ETF（DRAM）管理资产规模已突破200亿美元
Svmuu讯 ETF Tracker 在 X 平台发文表示，Roundhill Memory ETF（DRAM）管理资产规模已突破 200 亿美元。 DRAM 是美国资产管理机构 Roundhill Investments 于 2026 年推出的存储芯片主题 ETF，主要反映全球存储半导体行业表现，被市场视为押注 AI 基础设施和内存需求增长的重要投资工具。
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美股存储芯片、光通信板块盘前普涨，美光科技涨超4%
Svmuu讯 根据 MSX.COM 数据，美股存储芯片、光通信板块盘前普涨，美光科技涨超 4%，迈威尔科技涨超 3%，康宁、西部数据、POET、闪迪涨超 2%。
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机构预计今年半导体市场规模或达1.5万亿美元，存储芯片销售额同比将上升250%
Svmuu讯 世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布了 2026 年春季半导体市场预测报告，大幅上调了对 2026 年及 2027 年全球半导体行业的增长预期。 数据显示，得益于 2025 年底及 2026 年初异常强劲的市场表现，WSTS 预计 2026 年全球半导体市场将实现同比 90%的增长，总规模达到 1.51 万亿美元。全球半导体市场规模的加速增长主要由存储芯片领域主导。2026 年存储
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美股存储芯片板块持续走强，Gate MU与SNDK合约持仓规模位居行业前列
Svmuu讯 近期美股半导体及存储芯片板块延续强势表现，相关资产市场关注度持续提升。Gate 行情数据显示，美光科技（MU）24 小时最高触及 1015.55 美元，现报 1014.35 美元，24 小时上涨 3.39%；闪迪（SNDK）24 小时最高触及 1746.16 美元，现报 1745.58 美元，24 小时上涨 3.12%。据 CoinGlass 数据显示，Gate 平台相关股票合约持仓
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SK海力士周三公布第三季度业绩创历史新高，营业利润环比增长38%至83.33万亿韩元。季度营收增长32%至104.62万亿韩元，首次突破100万亿韩元，主要得益于人工智能存储器需求的蓬勃发展。这家韩国存储芯片制造商还公布了今年向股东返还约100万亿韩元（合755亿美元）的计划。
SK海力士周三公布第三季度业绩创历史新高，营业利润环比增长38%至83.33万亿韩元。季度营收增长32%至104.62万亿韩元，首次突破100万亿韩元，主要得益于人工智能存储器需求的蓬勃发展。这家韩国存储芯片制造商还公布了今年向股东返还约100万亿韩元（合755亿美元）的计划。
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2027年存储芯片供需紧张的格局也已基本锁定
野村全球存储器研究团队在最新报告中指出，AI军备竞赛有75%的概率继续，2027年存储芯片供需紧张的格局也已基本锁定。报告认为，科技巨头即使自由现金流承压，也不愿率先退出竞争，同时存储器长期供应协议已提前锁定2027年的供应量与价格。野村表示，融资渠道关闭和电力短缺是可能打破这一格局的关键风险。
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德国默克公司周四在韩国开设芯片材料新工厂，扩大钼生产以满足先进存储芯片需求
德国科学技术公司默克周四在韩国忠清北道阴城开设了一家新的半导体材料工厂，旨在扩大钼生产，以满足芯片制造商对先进存储芯片日益增长的需求。该工厂将生产二氯氧化钼，用于芯片制造中的超薄金属膜沉积，并将供应韩国及亚洲其他地区的客户。
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美光CTO表示，公司不会追求4F²存储芯片，将继续专注于6F²和3D DRAM技术，尽管中国竞争对手长鑫存储（CXMT）在该领域取得了突破。
美光CTO表示，公司不会追求4F²存储芯片，将继续专注于6F²和3D DRAM技术，尽管中国竞争对手长鑫存储（CXMT）在该领域取得了突破。
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韩国股市周一恢复下跌，因DeepSeek最新模型引发存储芯片需求担忧，叠加AI融资忧虑。
韩国股市周一恢复下跌，因DeepSeek最新模型引发存储芯片需求担忧，叠加AI融资忧虑。
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KeyBanc：美光将是存储芯片涨价最大受益者，下调Cirrus Logic评级
KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在报告中认为，此次调研结果对美光（Micron）最为正面，同时上调了Analog Devices、Microchip、Texas Instruments及NXP等模拟芯片厂商的盈利预测。然而，Vinh将Cirrus Logic评级从“增持”下调至“行业同步”，理由是其约80%的收入依赖苹果，而苹果已削减iPhone产能。
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KeyBanc：谷歌洽谈存储长协至2035年，惠普和戴尔已延长至2031年
KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在报告中指出，存储供应锁定趋势加剧，惠普和戴尔已将供应协议延长至2031年，谷歌正洽谈覆盖至2035年的长期协议。此前，三星电子明年约80%的存储芯片产能已通过长期供应协议提前锁定。
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日本Kioxia市值较峰值缩水三分之二，因中国芯片竞争加剧
日本存储芯片制造商Kioxia Holdings的市值已较四个月前的峰值缩水三分之二，主要原因是利率上升威胁数据中心业务模式，以及中国竞争对手的崛起。该公司4月至9月的财报预计将于10月30日公布，预计将显示历史性利润增长。
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中国存储芯片模组厂商江波龙预计2026年前三季度净利润同比增长1864.55%至1990.84%，第三季度单季扣非净利润预增740.33%至964.26%，但公司示警存储涨价红利正在退潮。
中国存储芯片模组厂商江波龙预计2026年前三季度净利润同比增长1864.55%至1990.84%，第三季度单季扣非净利润预增740.33%至964.26%，但公司示警存储涨价红利正在退潮。
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存储芯片股暴跌，因中国竞争加剧和2029年供应过剩担忧
本周，包括SK海力士、三星和美光在内的存储芯片股大幅下跌，分别累计下挫26%、22%和11%。此次抛售主要受中国竞争加剧以及市场可能在2029年出现供应过剩的担忧所驱动。 中国长鑫存储技术有限公司（CXMT）宣布计划推出一款新的服务器内存产品，引发了市场对中国企业可能在全球市场份额中占据优势的担忧。然而，Quilter Cheviot的Ben Barringer和Rosenblatt Securi
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韩国半导体专家：扩大芯片产能或助韩企从中国手中夺回市场份额
一位韩国顶尖半导体专家认为，扩大存储芯片产能可让三星电子和SK海力士等行业主导者在应对需求变化时拥有更大灵活性，并可能帮助韩国芯片制造商夺回被中国竞争对手抢占的市场份额。
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中国芯片制造商CXMT新设计取得进展，引发全球芯片股下跌
中国领先的存储芯片制造商长鑫存储技术（CXMT）周末宣布，其在新的存储架构设计上取得重大进展，能够以更小的空间封装更多数据，提高存储密度。这一消息引发市场担忧，导致全球存储芯片巨头股价下跌。周二盘前交易中，美光（Micron）下跌3.7%；韩国上市的海力士（SK Hynix）收盘下跌10%，三星电子（Samsung Electronics）下跌7.4%。其他存储相关股票，包括SanDisk、Sea
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AI交易承压，存储芯片股下挫
全球人工智能（AI）交易正面临日益增长的压力，芯片股的持续抛售加剧了市场对近年来最强劲投资主题之一可持续性的疑虑。
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海力士美股ADR禁售期于周三到期，引发市场对其溢价的担忧
海力士（SK Hynix Inc.）在美国上市的股票（ADR）将于周三迎来禁售期到期，届时公司、其关联方及管理层将被允许出售股票。此举引发市场对海力士ADR高溢价的担忧，并可能成为一个潜在的市场催化剂，尤其是在市场已对存储芯片热潮能否持续产生疑问之际。
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存储芯片短缺持续，三星Galaxy S26系列手机涨价最高200美元
三星电子宣布上调Galaxy S26系列大部分机型的美国售价，涨幅为100至200美元，以应对持续的存储芯片短缺带来的成本压力。此次调价覆盖Galaxy S26、S26+和S26 Ultra三款主力机型，各配置均上涨100美元，其中S26 Ultra 1TB顶配版涨幅达200美元，售价涨至1,999美元。此举是继苹果和谷歌之后，消费科技品牌集体将成本压力转嫁至消费者的最新案例。
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中国长鑫存储计划投资52亿美元扩产，优先采购国产设备
据消息人士透露，中国存储芯片巨头长鑫存储技术有限公司（CXMT）计划投资349亿元人民币（约合52亿美元）进行产能扩张，其中大部分资金将用于采购国内芯片制造设备供应商的产品。上海证券交易所上市公司周一发布的一份股票备案文件显示，其中241亿元将用于一项新技术研发项目，另有108亿元将用于晶圆测试基地的二期工程。
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高盛：韩国KOSPI指数有望突破7000-7200点区间
高盛预计，在机构和外国投资者买盘改善的支撑下，韩国KOSPI指数将突破7000-7200点区间。存储芯片的强劲势头以及三星的股息也提供了额外利好。然而，高盛警告称，随着三星除息以及主要公司股票回购计划到期，10月份可能会面临阻力。
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中国长鑫存储(CXMT)称其新一代G5芯片制造平台已量产，缩小与三星海力士等全球领导者的技术差距
中国存储芯片巨头长鑫存储技术有限公司(CXMT)周日表示，其第五代技术平台G5已投入量产，在制造节点上缩小了与包括三星电子和SK海力士在内的全球领导者的技术优势。G5平台在存储密度上实现了“量子飞跃”，每片晶圆生产的芯片数量比上一代至少增加了50%，同时保持了更好的性能。
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DeepSeek最新AI模型引发存储芯片需求疑虑，韩国股市投资者趋于谨慎
DeepSeek最新人工智能模型对存储芯片需求的强度带来不确定性，这给重新进入韩国存储芯片制造商股票的基金经理们敲响了警钟。
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A股三大股指低开高走，创业板翻红，存储芯片板块拉升
9月10日，A股早盘集体低开后低开高走，创业板指拉升翻红，沪指、深成指跌幅收窄。存储芯片概念股表现活跃，太极实业涨停，受隔夜美股SK海力士涨超7%、美光科技涨超2%等消息提振。
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高盛转为看多存储芯片板块，SK海力士美股周三大涨7%至193.53美元创历史新高，美光、闪迪等全线走强
高盛在最新研报中对存储芯片板块转为积极，称“最差的日子已经过去”，触发周三存储股全线上涨。SK海力士美股领涨，盘中创历史新高，收盘大涨约7%至193.53美元。美光科技收涨约2%至1027.77美元，闪迪收涨约1.51%至1764.17美元。高盛指出，美光和闪迪已突破夏季下行趋势，对冲基金持仓仍处低位，为资金入场留有空间。不过，铠侠首席执行官Hiroo Ota同日警告NAND价格已涨幅足够，过度追
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韩国KB证券：三星、SK海力士存储芯片库存不足10天，明年或现史上最严重短缺
韩国KB证券9月7日发布研报称，受AI基础设施投资浪潮推动，三星电子与SK海力士当前存储芯片库存已降至不足10天，明年DRAM与NAND的比特需求预计将超出供应10个百分点以上，届时可供实际销售的存储芯片物量存在耗尽的可能性，形成“历史性短缺”。该机构研究本部长Kim Dong-won指出，HBM4产能扩张将结构性挤压通用DRAM供应，加剧短缺局面。
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SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期
SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期。据DIGITIMES报道，这一激进采购策略旨在平抑未来晶圆涨价压力，并确保其在高带宽内存（HBM）及先进DRAM市场的产能释放。公司同时上调了1C DRAM扩产计划，并计划投资40亿美元在美国印第安纳州建设下一代HBM封装工厂，以支持HBM4生产。此外，SK海力士还默许部分核心设备供应商提价
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SK海力士正评估在日本合资建存储芯片厂，以应对AI驱动的需求增长
SK集团会长崔泰源8月31日表示，SK海力士正在全面考察日本各地，寻找电力和水资源条件良好的地区，以评估多个合作建厂地点。目前合作模式尚未确定，合资建厂、共同投资或收购日本公司均是选项。此举旨在进一步完善其全球产能网络，此前SK海力士已在韩国规划约54万亿韩元的产能投资，并于上周在美国印第安纳州为先进存储封装设施举行奠基仪式。
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