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存儲芯片
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兆易創新：後續伴隨利基存儲市場產能邊際增加，價格將出現相當幅度的回落
Svmuu訊 兆易創新發布異動公告，公司股票價格自 2026 年 6 月 15 日至 2026 年 6 月 29 日連續 10 個交易日內日收盤價漲幅偏離值累計達到 73.42%，自 2026 年 5 月 18 日至 2026 年 6 月 29 日連續 30 個交易日內日收盤價格漲幅偏離值累計達到 125.60%。 公司目前所經營的存儲產品屬於利基存儲產品，即主要供給的下游為除手機、PC、服務器以
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分析：美股存儲板塊回調或因三星與SK海力士供應擴張預期
Svmuu訊 美股今日開盤後存儲板塊承壓，美光科技、閃迪股價均大幅下跌，分析指出，三星與 SK 海力士此前公佈約 800 萬億韓元投資計劃建設新芯片製造樞紐，合計約佔全球存儲芯片三分之二產能，此次新增產能規劃可能對 FY27–FY28 供給曲線形成新的預期壓力，重新引發市場對行業供需平衡的討論，目前市場反應已呈現分化：DRAM/NAND 直接標的承壓更明顯，而以存儲結構或硬盤業務為主的公司表現相對
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美股存儲板塊持續走低，美光閃迪股價分別跌6%、8%
Svmuu訊 根據 MSX.COM 數據，美股存儲板塊持續走低，美光科技股價下跌 6%，報 1064.34 美元/股。閃迪股價下跌 7.8%，報 1931.160 美元/股。二者成交量分列美股所有股票第一位、第二位。鎧俠 ADR 跌 7%。消息上，韓國產業通商資源部長官金正官 29 日表示，預計在五年內將 DRAM 生產能力翻倍，預計全球內存市場將在 5 年內增長四倍。
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長鑫存儲獲騰訊30億美元存儲芯片供應協議
Svmuu訊 據路透社報道，三位知情人士透露，中國存儲芯片製造商長鑫存儲（CXMT）已與騰訊控股簽署一項長期供貨協議，合同金額超過 200 億元人民幣（約合 29.4 億美元）。這項重大訂單是在長鑫存儲備受矚目的首次公開募股（IPO）前達成的。 知情人士表示，該協議涵蓋未來數年的服務器 DRAM 芯片供應。其中，兩位消息人士稱合同期限最長為 3 年，另一位則表示最長可達 5 年。由於相關信息屬於保
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DRAM ETF已將兆易創新納入持倉，持倉權重達2.91%
Svmuu訊 根據公開信息，Roundhill Memory ETF(DRAM) 已將兆易創新納入持倉，權重為 2.91%。Citrini Research 分析師 Jukan 表示，兆易創新被視為中國 DRAM 廠商長鑫存儲的母公司或關聯實體。Roundhill Memory ETF 主要聚焦全球存儲芯片產業鏈，核心持倉包括 Samsung Electronics、Micron Technolo
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美股光通信板塊集體低開，存儲芯片概念走低，美光科技跌超6%
Svmuu訊 據 MSX.COM 數據，美股存儲芯片概念走低，閃迪、美光科技跌超 6%，西部數據、邁威爾科技跌超 4%。安森美半導體跌超 17%，公司擬 62 億美元全股票收購芯片設計公司 Synaptics。光通信板塊集體低開。Lumentum、Coherent 跌超 7%，邁威爾科技、Credo 跌超 5%，康寧跌近 3%。
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觀點：若蘋果都無法消化成本上漲，市場質疑存儲芯片利潤率可持續性
Svmuu訊 韓國股市大幅下跌，芯片股再度遭遇拋售，凸顯其對全球人工智能投資情緒波動的高度敏感性。韓國 KOSPI 指數週五盤中跌超 8%，抹去前一交易日的全部漲幅，並觸發市場熔斷機制，三星電子和 SK 海力士股價均跌約 9%。外資在早盤交易中拋售了 2.5 萬億韓元（約合 16 億美元）的 KOSPI 股票。 此次大跌標誌着週四大漲的快速逆轉，當時美光科技發佈樂觀業績展望，以及 SK 海力士計劃
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SK海力士赴美上市倒計時，300億美元融資或撬動估值重估
Svmuu訊 據美媒報道，SK 海力士預計於 7 月 10 日在納斯達克發行美國存託憑證。此次上市計劃籌集近 300 億美元，有望成為史上規模最大的 ADR 發行之一。市場普遍認為，此舉將顯著擴大其全球投資者基礎，並可能推動估值重估。 多家資產管理公司預計，若其估值向美光靠攏，未來一年股價有 30%的上漲空間。一位基金經理指出，SK 海力士至少應以與美光相當的估值水平交易，因為未來數年存儲芯片需求
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美股存儲板塊盤前上漲，美光科技、ARM、高通漲超3%
Svmuu訊 據 MSX 數據，美股存儲芯片、光通信盤前走高，美光科技、ARM、高通漲超 3%，西部數據、閃迪、Credo 漲逾 2%，英特爾、康寧、邁威爾科技、AMD、Lumentum、Coherent 漲超 1%。
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韓國6月前20日存儲芯片初步出口同比大幅增長，SSD同比增長405%
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，韓國 6 月 1 日至 20 日初步出口數據顯示，DRAM 含模塊同比增長 342%、環比增長 3%；閃存 NAND 同比增長 336%、環比增長 28%；MCP 即 HBM 同比增長 209%、環比增長 51%；SSD 同比增長 405%、環比增長 25%。
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Roundhill Memory ETF（DRAM）管理資產規模已突破200億美元
Svmuu訊 ETF Tracker 在 X 平台發文表示，Roundhill Memory ETF（DRAM）管理資產規模已突破 200 億美元。 DRAM 是美國資產管理機構 Roundhill Investments 於 2026 年推出的存儲芯片主題 ETF，主要反映全球存儲半導體行業表現，被市場視為押注 AI 基礎設施和內存需求增長的重要投資工具。
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美股存儲芯片、光通信板塊盤前普漲，美光科技漲超4%
Svmuu訊 根據 MSX.COM 數據，美股存儲芯片、光通信板塊盤前普漲，美光科技漲超 4%，邁威爾科技漲超 3%，康寧、西部數據、POET、閃迪漲超 2%。
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機構預計今年半導體市場規模或達1.5萬億美元，存儲芯片銷售額同比將上升250%
Svmuu訊 世界半導體貿易統計組織（WSTS）發佈了 2026 年春季半導體市場預測報告，大幅上調了對 2026 年及 2027 年全球半導體行業的增長預期。 數據顯示，得益於 2025 年底及 2026 年初異常強勁的市場表現，WSTS 預計 2026 年全球半導體市場將實現同比 90%的增長，總規模達到 1.51 萬億美元。全球半導體市場規模的加速增長主要由存儲芯片領域主導。2026 年存儲
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美股存儲芯片板塊持續走強，Gate MU與SNDK合約持倉規模位居行業前列
Svmuu訊 近期美股半導體及存儲芯片板塊延續強勢表現，相關資產市場關注度持續提升。Gate 行情數據顯示，美光科技（MU）24 小時最高觸及 1015.55 美元，現報 1014.35 美元，24 小時上漲 3.39%；閃迪（SNDK）24 小時最高觸及 1746.16 美元，現報 1745.58 美元，24 小時上漲 3.12%。據 CoinGlass 數據顯示，Gate 平台相關股票合約持倉
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SK海力士週三公佈第三季度業績創歷史新高，營業利潤環比增長38%至83.33萬億韓元。季度營收增長32%至104.62萬億韓元，首次突破100萬億韓元，主要得益於人工智能存儲器需求的蓬勃發展。這家韓國存儲芯片製造商還公佈了今年向股東返還約100萬億韓元（合755億美元）的計劃。
SK海力士週三公佈第三季度業績創歷史新高，營業利潤環比增長38%至83.33萬億韓元。季度營收增長32%至104.62萬億韓元，首次突破100萬億韓元，主要得益於人工智能存儲器需求的蓬勃發展。這家韓國存儲芯片製造商還公佈了今年向股東返還約100萬億韓元（合755億美元）的計劃。
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2027年存儲芯片供需緊張的格局也已基本鎖定
野村全球存儲器研究團隊在最新報告中指出，AI軍備競賽有75%的概率繼續，2027年存儲芯片供需緊張的格局也已基本鎖定。報告認為，科技巨頭即使自由現金流承壓，也不願率先退出競爭，同時存儲器長期供應協議已提前鎖定2027年的供應量與價格。野村表示，融資渠道關閉和電力短缺是可能打破這一格局的關鍵風險。
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德國默克公司週四在韓國開設芯片材料新工廠，擴大鉬生產以滿足先進存儲芯片需求
德國科學技術公司默克週四在韓國忠清北道陰城開設了一家新的半導體材料工廠，旨在擴大鉬生產，以滿足芯片製造商對先進存儲芯片日益增長的需求。該工廠將生產二氯氧化鉬，用於芯片製造中的超薄金屬膜沉積，並將供應韓國及亞洲其他地區的客户。
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美光CTO表示，公司不會追求4F²存儲芯片，將繼續專注於6F²和3D DRAM技術，儘管中國競爭對手長鑫存儲（CXMT）在該領域取得了突破。
美光CTO表示，公司不會追求4F²存儲芯片，將繼續專注於6F²和3D DRAM技術，儘管中國競爭對手長鑫存儲（CXMT）在該領域取得了突破。
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韓國股市週一恢復下跌，因DeepSeek最新模型引發存儲芯片需求擔憂，疊加AI融資憂慮。
韓國股市週一恢復下跌，因DeepSeek最新模型引發存儲芯片需求擔憂，疊加AI融資憂慮。
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KeyBanc：美光將是存儲芯片漲價最大受益者，下調Cirrus Logic評級
KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh在報告中認為，此次調研結果對美光（Micron）最為正面，同時上調了Analog Devices、Microchip、Texas Instruments及NXP等模擬芯片廠商的盈利預測。然而，Vinh將Cirrus Logic評級從“增持”下調至“行業同步”，理由是其約80%的收入依賴蘋果，而蘋果已削減iPhone產能。
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KeyBanc：谷歌洽談存儲長協至2035年，惠普和戴爾已延長至2031年
KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh在報告中指出，存儲供應鎖定趨勢加劇，惠普和戴爾已將供應協議延長至2031年，谷歌正洽談覆蓋至2035年的長期協議。此前，三星電子明年約80%的存儲芯片產能已通過長期供應協議提前鎖定。
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日本Kioxia市值較峯值縮水三分之二，因中國芯片競爭加劇
日本存儲芯片製造商Kioxia Holdings的市值已較四個月前的峯值縮水三分之二，主要原因是利率上升威脅數據中心業務模式，以及中國競爭對手的崛起。該公司4月至9月的財報預計將於10月30日公佈，預計將顯示歷史性利潤增長。
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中國存儲芯片模組廠商江波龍預計2026年前三季度淨利潤同比增長1864.55%至1990.84%，第三季度單季扣非淨利潤預增740.33%至964.26%，但公司示警存儲漲價紅利正在退潮。
中國存儲芯片模組廠商江波龍預計2026年前三季度淨利潤同比增長1864.55%至1990.84%，第三季度單季扣非淨利潤預增740.33%至964.26%，但公司示警存儲漲價紅利正在退潮。
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存儲芯片股暴跌，因中國競爭加劇和2029年供應過剩擔憂
本週，包括SK海力士、三星和美光在內的存儲芯片股大幅下跌，分別累計下挫26%、22%和11%。此次拋售主要受中國競爭加劇以及市場可能在2029年出現供應過剩的擔憂所驅動。 中國長鑫存儲技術有限公司（CXMT）宣佈計劃推出一款新的服務器內存產品，引發了市場對中國企業可能在全球市場份額中佔據優勢的擔憂。然而，Quilter Cheviot的Ben Barringer和Rosenblatt Securi
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韓國半導體專家：擴大芯片產能或助韓企從中國手中奪回市場份額
一位韓國頂尖半導體專家認為，擴大存儲芯片產能可讓三星電子和SK海力士等行業主導者在應對需求變化時擁有更大靈活性，並可能幫助韓國芯片製造商奪回被中國競爭對手搶佔的市場份額。
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中國芯片製造商CXMT新設計取得進展，引發全球芯片股下跌
中國領先的存儲芯片製造商長鑫存儲技術（CXMT）週末宣佈，其在新的存儲架構設計上取得重大進展，能夠以更小的空間封裝更多數據，提高存儲密度。這一消息引發市場擔憂，導致全球存儲芯片巨頭股價下跌。週二盤前交易中，美光（Micron）下跌3.7%；韓國上市的海力士（SK Hynix）收盤下跌10%，三星電子（Samsung Electronics）下跌7.4%。其他存儲相關股票，包括SanDisk、Sea
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AI交易承壓，存儲芯片股下挫
全球人工智能（AI）交易正面臨日益增長的壓力，芯片股的持續拋售加劇了市場對近年來最強勁投資主題之一可持續性的疑慮。
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海力士美股ADR禁售期於週三到期，引發市場對其溢價的擔憂
海力士（SK Hynix Inc.）在美國上市的股票（ADR）將於週三迎來禁售期到期，屆時公司、其關聯方及管理層將被允許出售股票。此舉引發市場對海力士ADR高溢價的擔憂，並可能成為一個潛在的市場催化劑，尤其是在市場已對存儲芯片熱潮能否持續產生疑問之際。
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存儲芯片短缺持續，三星Galaxy S26系列手機漲價最高200美元
三星電子宣佈上調Galaxy S26系列大部分機型的美國售價，漲幅為100至200美元，以應對持續的存儲芯片短缺帶來的成本壓力。此次調價覆蓋Galaxy S26、S26+和S26 Ultra三款主力機型，各配置均上漲100美元，其中S26 Ultra 1TB頂配版漲幅達200美元，售價漲至1,999美元。此舉是繼蘋果和谷歌之後，消費科技品牌集體將成本壓力轉嫁至消費者的最新案例。
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中國長鑫存儲計劃投資52億美元擴產，優先採購國產設備
據消息人士透露，中國存儲芯片巨頭長鑫存儲技術有限公司（CXMT）計劃投資349億元人民幣（約合52億美元）進行產能擴張，其中大部分資金將用於採購國內芯片製造設備供應商的產品。上海證券交易所上市公司週一發佈的一份股票備案文件顯示，其中241億元將用於一項新技術研發項目，另有108億元將用於晶圓測試基地的二期工程。
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高盛：韓國KOSPI指數有望突破7000-7200點區間
高盛預計，在機構和外國投資者買盤改善的支撐下，韓國KOSPI指數將突破7000-7200點區間。存儲芯片的強勁勢頭以及三星的股息也提供了額外利好。然而，高盛警告稱，隨着三星除息以及主要公司股票回購計劃到期，10月份可能會面臨阻力。
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中國長鑫存儲(CXMT)稱其新一代G5芯片製造平台已量產，縮小與三星海力士等全球領導者的技術差距
中國存儲芯片巨頭長鑫存儲技術有限公司(CXMT)週日表示，其第五代技術平台G5已投入量產，在製造節點上縮小了與包括三星電子和SK海力士在內的全球領導者的技術優勢。G5平台在存儲密度上實現了“量子飛躍”，每片晶圓生產的芯片數量比上一代至少增加了50%，同時保持了更好的性能。
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DeepSeek最新AI模型引發存儲芯片需求疑慮，韓國股市投資者趨於謹慎
DeepSeek最新人工智能模型對存儲芯片需求的強度帶來不確定性，這給重新進入韓國存儲芯片製造商股票的基金經理們敲響了警鐘。
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A股三大股指低開高走，創業板翻紅，存儲芯片板塊拉昇
9月10日，A股早盤集體低開後低開高走，創業板指拉昇翻紅，滬指、深成指跌幅收窄。存儲芯片概念股表現活躍，太極實業漲停，受隔夜美股SK海力士漲超7%、美光科技漲超2%等消息提振。
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高盛轉為看多存儲芯片板塊，SK海力士美股週三大漲7%至193.53美元創歷史新高，美光、閃迪等全線走強
高盛在最新研報中對存儲芯片板塊轉為積極，稱“最差的日子已經過去”，觸發週三存儲股全線上漲。SK海力士美股領漲，盤中創歷史新高，收盤大漲約7%至193.53美元。美光科技收漲約2%至1027.77美元，閃迪收漲約1.51%至1764.17美元。高盛指出，美光和閃迪已突破夏季下行趨勢，對沖基金持倉仍處低位，為資金入場留有空間。不過，鎧俠首席執行官Hiroo Ota同日警告NAND價格已漲幅足夠，過度追
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韓國KB證券：三星、SK海力士存儲芯片庫存不足10天，明年或現史上最嚴重短缺
韓國KB證券9月7日發佈研報稱，受AI基礎設施投資浪潮推動，三星電子與SK海力士當前存儲芯片庫存已降至不足10天，明年DRAM與NAND的比特需求預計將超出供應10個百分點以上，屆時可供實際銷售的存儲芯片物量存在耗盡的可能性，形成“歷史性短缺”。該機構研究本部長Kim Dong-won指出，HBM4產能擴張將結構性擠壓通用DRAM供應，加劇短缺局面。
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SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期
SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道，這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力，並確保其在高帶寬內存（HBM）及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃，並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以支持HBM4生產。此外，SK海力士還默許部分核心設備供應商提價
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SK海力士正評估在日本合資建存儲芯片廠，以應對AI驅動的需求增長
SK集團會長崔泰源8月31日表示，SK海力士正在全面考察日本各地，尋找電力和水資源條件良好的地區，以評估多個合作建廠地點。目前合作模式尚未確定，合資建廠、共同投資或收購日本公司均是選項。此舉旨在進一步完善其全球產能網絡，此前SK海力士已在韓國規劃約54萬億韓元的產能投資，並於上週在美國印第安納州為先進存儲封裝設施舉行奠基儀式。
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