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SK海力士董事会批准投资约382.82亿美元（54.3万亿韩元），在韩国新建两座晶圆厂
此举旨在扩大DRAM和NAND生产基地，以满足人工智能带动的HBM及先进存储需求增长。其中，龙仁Y2工厂将聚焦HBM与下一代DRAM，清州M17工厂将完善NAND产能。两座工厂预计最早于2028年底至2029年陆续投产，并将在2031年前完成投资，产能将根据客户需求逐步扩大。

2026/08/07 08:00 UTC #HBM #NAND #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
Counterpoint：三星电子在2026年第二季度以39%的市场份额重夺全球DRAM市场第一，SK海力士和美光紧随其后
据市场研究机构Counterpoint Research最新报告，三星电子在2026年第二季度重新夺回DRAM市场第一的位置，结束了此前被SK海力士超越的局面。同期，SK海力士市场份额为26%，美光科技以25%的市场份额紧随其后。三星此次反超主要得益于通用DRAM价格上涨以及HBM（高带宽内存）业务扩张，而SK海力士的市场份额下降则反映出HBM均价下滑以及早期长期供货协议（LTA）锁价带来的阶段性

2026/08/04 10:34 UTC #三星电子 #SK海力士 #股票 #美光科技 #DRAM #宏观
中国DRAM制造商CXMT上市首日股价飙升466%，募资86亿美元，分析称此举增强了苹果的供应链灵活性，但对美光构成长期定价威胁
CXMT于7月27日上市首日收盘价为49元，较8.66元的发行价上涨466%，此次IPO募资约86亿美元，成为今年亚洲最大规模的IPO。分析认为，CXMT的崛起为苹果公司增加了潜在的供应商选择，有助于提升供应链灵活性，尽管其对定价的影响尚不明确。对于美光而言，CXMT的扩张可能对其消费级和服务器DRAM定价构成长期压力，但由于CXMT在高带宽内存（HBM）技术上仍落后两代，短期内对美光AI内存业务

2026/08/03 17:00 UTC #长鑫存储 #美光 #苹果 #股票 #DRAM #美股
分析师：中国DRAM厂商或于2027年进一步推进3D DRAM研发
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Goldman Sachs 与一位中国 DRAM 行业专家通话中，该专家认为，尽管良率可能更低，中国供应商的 DRAM 价格可与全球龙头相当；中国 DRAM 厂商可能于 2027 年在 3D DRAM 产品开发上取得进一步进展；合肥、上海和北京正在推进的产能扩张预计将于 2028 年全面投产；一些晶圆厂据称主要使用国产中国设备

2026/07/25 23:49 UTC #中国DRAM #DRAM #高盛
Tom Lee：AI下游资产表现持续增强，以太坊近一个月跑赢DRAM 72个百分点
Svmuu讯 Bitmine 董事长、Fundstrat 联合创始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相关资产的相对表现正在持续增强，其中以太坊（ETH）相较于 DRAM（动态随机存取存储器）板块近期展现出明显超额收益。 Tom Lee 披露数据显示，过去一个月内，ETH 相对 DRAM 的表现优势扩大至 7200 个基点（72 个百分点）。同期，ETH 价格上涨

2026/07/21 13:35 UTC #DRAM #AI #以太坊
摩根士丹利：美国内存股抛售为一次“健康重置” 并不是周期拐点
Svmuu讯据市场消息：摩根士丹利分析师将近期美国内存股抛售称为一次“健康重置”，并认为这不是内存周期的拐点。摩根士丹利预计 2026 年三季度 DRAM 价格仍可能环比上涨 20%-30%以上。这个判断指向的是部分渠道和品类口径，不能简单等同于全行业服务器 DRAM 官方合约价。

2026/07/20 12:47 UTC #美国内存股 #DRAM #摩根士丹利
DRAM价格预期上调：三季度均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
Svmuu讯根据最新行业调研，全球 DRAM 市场第三季度平均售价（ASP）预计将环比上涨 21%，这一预期高于 TrendForce 此前对传统 DRAM 价格上涨 13%至 18%、以及包含 HBM 在内整体上涨 8%至 13%的预测。分析认为，第三季度 DRAM 价格上涨主要受到多项因素推动，包括服务器 DRAM 价格环比上涨 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求强劲；DDR5 及

2026/07/19 08:18 UTC #台积电 #存储芯片 #DRAM #半导体
摩根士丹利：DRAM合约价增速或在Q4见顶，存储企业估值待重估
Svmuu讯摩根士丹利发布最新存储行业观点，预判 DRAM 合约价同比增速将在 2026 年第四季度见顶。报告指出，四季度后 DRAM 价格同比涨幅或将大幅回落，此前一年价格暴涨四倍的行情难以复刻。机构同时提及，当前存储芯片企业对应未来 12 个月预期市净率存在重估空间，板块估值逻辑或将迎来调整。

2026/07/16 12:44 UTC #估值 #存储芯片 #DRAM #摩根士丹利
长鑫科技：2023年至2025年主要DRAM产品销量的年均复合增长率高达83.98%
Svmuu讯 7 月 15 日，长鑫科技科创板上市网上投资者交流会举行。对于公司 2023 年至 2025 年收入实现快速增长的驱动因素，长鑫科技董事长朱一明表示，为实现产能及市场份额的快速提升，公司始终处于产能扩建及释放阶段，产能的迅速爬坡带来产出及销量的增长是公司 2023-2025 收入提升的最主要因素。同时，公司通过长期的技术投入和自主创新，陆续搭建了第一代、第三代、第四代并持续迭代的工

2026/07/15 10:25 UTC #长鑫科技 #DRAM #半导体
长鑫科技称AI发展对DRAM市场需求存在不确定性
Svmuu讯长鑫科技副总裁、董事会秘书袁园表示，2025 年下半年以来的业绩增长受益于 AI 驱动的 DRAM 需求增长及行业供需紧张，但 DRAM 行业具有强周期性，价格波动较大，且 AI 发展对 DRAM 市场需求存在不确定性。公司将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力，并提醒投资者关注行业波动风险。

2026/07/15 08:26 UTC #长鑫科技 #DRAM #AI
三星电子计划在器兴建设新DRAM工厂，月产能预计达10万片晶圆
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Samsung Electronics 计划在其器兴园区建设一座新的 DRAM 晶圆厂，将原定用于研发中心的场地改造为内存生产设施。该设施月产能预计约 10 万片晶圆，总投资预计达数十万亿韩元。Samsung Electronics 已组建内部团队推进新晶圆厂建设，最早可能于第三季度启动初期施工。Counterpoint Re

2026/07/14 23:55 UTC #三星电子 #DRAM #半导体
某地址亏损3603万美元后再次被清算，过去一周清算损失84.17万美元
Svmuu讯据 Onchain Lens 监测，某地址在 Hyperliquid 上再次被清算，其 274 万美元 DRAM 多单被清算，损失约 33.65 万美元；该钱包 6 天前还因 MRVL 清算损失约 50.52 万美元，过去一周清算损失约 84.17 万美元，目前亏损 3603 万美元。

2026/07/14 22:50 UTC #MRVL #清算 #DRAM #hyperliquid
SK海力士启动龙仁Y1晶圆厂设备采购，计划明年2月建设试产线
Svmuu讯 SK 海力士已开始为位于韩国龙仁的 Y1 晶圆厂采购先进 DRAM 制造设备，初步规划产能约为每月 2 万片晶圆。SK 海力士计划将 Y1 Ph1 启用时间从原定明年 5 月提前至明年 2 月，并于明年 2 月启动试生产线建设，随后在 3 至 4 月推进大规模设备安装。该晶圆厂目标生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，该产品将用于 AI 服务器相关 DDR、LPDDR 产品，并

2026/07/14 05:09 UTC #HBM4E #AI服务器 #SK海力士 #DRAM
分析师下调 SK 海力士二季度盈利预期，但预计长期盈利增长持续
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，KIS Semicon 分析师 Minsook Chae 预计 SK Hynix 2026 年二季度营业利润为 60.4 万亿韩元，环比增长 61%，同比增长 556%，较 65 万亿韩元市场共识低 8%。分析师表示，下调预期主要由于 SK 海力士 HBM 销售占比高于同行、普通 DRAM 价格涨幅低于此前市场预期，以及长期

2026/07/13 03:41 UTC #盈利预期 #SK Hynix #HBM #DRAM
Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung

2026/07/05 09:20 UTC #DRAM #半导体
Citrini分析师：UBS上调DRAM和NAND价格预期
Svmuu讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文表示，UBS 上调 DRAM 和 NAND 价格预期，目前预计 DRAM 价格将在第三季度环比上涨 32%，第四季度环比上涨 18%；NAND 价格将在第三季度环比上涨 30%，第四季度环比上涨 12%。

2026/07/03 11:31 UTC #瑞银 #NAND #DRAM
消息称三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%
Svmuu讯据业内人士 3 日透露，三星电子目前正在与客户进行谈判，目标是将今年第三季度 DRAM 的平均售价比上一季度提高 20%。（ZDNET Korea）

2026/07/03 05:25 UTC #三星电子 #DRAM
Atreides创始人：DRAM始终是AI最重要的瓶颈，2027年会占到数据中心资本支出的30%-40%
Svmuu讯 Atreides Management 创始人兼首席投资官 Gavin Baker 在参加最新一期 All In 播客节目时谈到了 AI 竞赛的“瓶颈”问题。 Gavin 表示，DRAM 始终是最重要的瓶颈，社交媒体上有一群人非常关注瓶颈问题，他们会在 Claude 搜索，找出一些不知名的日本材料公司，但真正重要的瓶颈只有 DRAM，因为内存容量和带宽是所有 AI 模型性能的基础。

2026/06/29 07:38 UTC #数据中心 #DRAM #AI
长鑫存储获腾讯30亿美元存储芯片供应协议
Svmuu讯据路透社报道，三位知情人士透露，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已与腾讯控股签署一项长期供货协议，合同金额超过 200 亿元人民币（约合 29.4 亿美元）。这项重大订单是在长鑫存储备受瞩目的首次公开募股（IPO）前达成的。知情人士表示，该协议涵盖未来数年的服务器 DRAM 芯片供应。其中，两位消息人士称合同期限最长为 3 年，另一位则表示最长可达 5 年。由于相关信息属于保

2026/06/29 07:36 UTC #存储芯片 #DRAM #腾讯 #IPO
花旗：苹果对长鑫存储内存兴趣将提升其全球地位
Svmuu讯花旗表示，报道称苹果对长鑫存储的内存感兴趣，这一认可将长鑫存储从“中国国产替代的故事”转变为“具备公信力的全球第四大 DRAM 制造商”。花旗预计，该消息将对长鑫存储及其供应链带来利好，包括设备供应商和 OSAT 外包封测厂商。

2026/06/29 01:29 UTC #长鑫存储 #苹果 #花旗 #DRAM
DRAM ETF已将兆易创新纳入持仓，持仓权重达2.91%
Svmuu讯根据公开信息，Roundhill Memory ETF(DRAM) 已将兆易创新纳入持仓，权重为 2.91%。Citrini Research 分析师 Jukan 表示，兆易创新被视为中国 DRAM 厂商长鑫存储的母公司或关联实体。Roundhill Memory ETF 主要聚焦全球存储芯片产业链，核心持仓包括 Samsung Electronics、Micron Technolo

2026/06/27 02:32 UTC #存储芯片 #DRAM #ETF
创历史新高，2026年全球半导体市场规模预计超1.5万亿美元
Svmuu讯世界半导体贸易统计组织近期发布预测称，受 AI 热潮拉动，2026 年全球半导体市场规模将超 1.5 万亿美元，创历史新高。半导体行业正围绕 AI 需求加速重构。行业研究机构报告显示，今年第一季度 DRAM 市场营收规模达 970 亿美元，同比增长 260%，创历史新高。其中三星电子占据约 38%市场份额，位居第一；SK 海力士和美光科技位列其后。三星电子已连续两个季度位居 DRAM

2026/06/26 11:02 UTC #DRAM #英伟达 #半导体 #AI
Lenovo：DRAM和NAND价格上涨将成为新常态，并持续至2030年后
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Lenovo 称内存价格上涨是“新常态”，DRAM 和 NAND 闪存价格已进入结构性上行周期，即使主要供应商继续扩产，价格也不太可能回到 2025 年初水平。更高成本正在整个行业传导，未来包括 PC 和智能手机在内的各类电子设备预计将持续面临涨价压力，较高价格将在 2030 年后成为“新常态”。

2026/06/26 07:53 UTC #电子产品 #涨价 #NAND #DRAM
国金证券：美光科技推进长协落地，供需缺口有望持续
Svmuu讯国金证券研报认为，美光科技推进长协落地，供需缺口有望持续。美光科技已经与客户完成 16 个 SCA（战略客户合作协议），下游涵盖数据中心、消费电子、汽车市场。SCA 中汽车客户签订时间为三年，其他客户基本为五年。16 个 SCA 协议已经占到美光科技 20%的 DRAM 出货量，1/3 的 NAND 出货量。美光科技签订的 SCA 的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能

2026/06/26 00:17 UTC #存储行业 #NAND #美光科技 #DRAM
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SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年
SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年

2026/10/28 21:21 UTC #HBM #AI内存 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏观
美光CTO表示，公司不会追求4F²存储芯片，将继续专注于6F²和3D DRAM技术，尽管中国竞争对手长鑫存储（CXMT）在该领域取得了突破。
美光CTO表示，公司不会追求4F²存储芯片，将继续专注于6F²和3D DRAM技术，尽管中国竞争对手长鑫存储（CXMT）在该领域取得了突破。

2026/10/21 17:32 UTC #长鑫存储 #美光 #股票 #存储芯片 #DRAM #美股
高盛上调中国DRAM厂商长鑫科技目标价至130元，因Q3营收超预期30%且G5平台已量产
高盛发布最新研究报告，维持对中国DRAM厂商长鑫科技的“买入”评级，并将12个月目标价从129元小幅上调至130元。此次上调主要受长鑫科技披露的第三季度业绩预告驱动，高盛预计其Q3营收中值较此前预测高出约30%。此外，公司已于2026年9月正式量产第五代DRAM技术平台（G5），高盛认为这将全面打开增长空间，并据此上调公司2026年至2030年盈利预测。

2026/10/20 06:39 UTC #长鑫科技 #股票 #DRAM #高盛 #A股
长鑫存储（CXMT）股价下跌超6%，尽管预计2026年前三季度利润强劲
周一，长鑫存储（CXMT）股价下跌6.5%，尽管这家中国芯片制造商预计2026年前三季度净利润将达到1310亿元至1325亿元人民币（约合195.8亿美元），扭转了去年同期52.8亿元人民币的净亏损。该公司预计营收约为2650亿元至2700亿元人民币，并将业绩的显著改善归因于人工智能算力需求的快速增长，这提振了全球DRAM市场。2026年第三季度，长鑫存储在全球DRAM营收中占比10%，高于去年同

2026/10/19 02:01 UTC #长鑫存储 #股票 #DRAM #人工智能 #A股
中国存储芯片龙头长鑫科技预计前三季度净利润1310亿-1325亿元，同比扭亏为盈，营收增超七倍
中国存储芯片龙头长鑫科技发布业绩预告，预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润达1310亿元至1325亿元，较上年同期亏损52.80亿元实现大幅扭亏为盈。同期营业收入预计约为2650亿元至2700亿元，较上年同期320.84亿元增加逾2300亿元，同比增幅超过七倍。公司将业绩大幅改善归因于AI算力需求快速增长带动全球DRAM行业景气度提升，产品供不应求，价格大幅上涨。

2026/10/16 14:01 UTC #长鑫科技 #股票 #DRAM #AI算力 #A股
KeyBanc：预计HBM明年Q1涨价80%-100%，DRAM和NAND价格Q4涨15%-20%
KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在亚洲调研报告中指出，受AI数据中心需求驱动，高带宽内存（HBM）价格预计将在2027年第一季度环比上涨80%至100%，DRAM价格今年第四季度将环比上涨15%至20%，NAND涨幅约为20%。

2026/10/16 08:25 UTC #KeyBanc Capital Markets #HBM #NAND #股票 #DRAM #宏观
存储板块承压，美光闪迪周一领跌，因韩国市场补跌、回购结束及长鑫科技4F²架构进展
存储板块周一经历集中抛售，美光收跌3.88%，闪迪跌5.97%，美光距6月高点已跌近20%。此轮调整主要受三重冲击影响：韩国市场在韩文日假期后补跌，韩国综合指数（KOSPI）大跌3.65%；三星与SK海力士合计约400亿美元的回购计划提前结束，三星回购已于10月6日终止；以及中国长鑫科技（CXMT）在10月9日至10日宣布4F²新一代DRAM架构取得关键进展，并计划年底推出服务器内存产品，在单元架

2026/10/13 00:10 UTC #股票回购 #存储 #DRAM #半导体 #A股 #美股
麦肯锡上调2030年全球半导体市场规模预测44%至2.3万亿美元，主要由DRAM价格累计上涨6倍推动
麦肯锡最新研究将2030年全球半导体市场规模基准预测从2025年秋季的1.6万亿美元上调至2.3万亿美元，增幅约44%。报告指出，此次上调并非源于出货量增长，而是先进制程芯片和存储器平均销售价格（ASP）上涨所致，其中DRAM价格自2023年初以来已累计上涨约六倍，回到2011年高点。AI基础设施投资是这一结构性变化的核心驱动力，五大超大规模云计算服务商计划在2026年和2027年投入万亿美元用于

2026/10/02 11:27 UTC #麦肯锡 #股票 #DRAM #半导体 #AI #宏观
高盛：外资对韩国KOSPI半导体板块持仓降至历史低位，较历史均值低2.1个标准差
据高盛数据，外资对韩国KOSPI半导体板块的持仓比例已降至49.1%，较历史均值低2.1个标准差，且仓位流失几乎完全集中于存储芯片领域。与此同时，TrendForce预计2027年HBM将占据DRAM晶圆总投入的30%，高于2026年的22%，分析师对韩国科技板块2027年每股盈利共识预期在过去六个月内上调幅度高达122%。市场对存储周期见顶的担忧与盈利预测持续上修形成罕见分歧，当前韩国半导体板块

2026/09/29 13:10 UTC #HBM #股票 #DRAM #高盛 #半导体 #宏观
三星高管：预计2027年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧并推高价格
据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，高带宽内存（HBM）预计将在2027年占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。他指出，HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产

2026/09/29 12:48 UTC #HBM #三星 #AI服务器 #股票 #DRAM #宏观
SK海力士表示，鉴于客户和政府的压力，正考虑在美国建立一个完整的存储器生产基地。
SK集团董事长崔泰元今年7月表示，由于客户和政府方面要求增加内存芯片供应的“巨大压力”，因此有必要在美国建厂。该公司已着手筹建用于生产高价值AI内存的美国生产基地，投资超过40亿美元的印第安纳州工厂已于上月破土动工。该工厂将加工在韩国制造的先进DRAM晶圆，用于后续生产阶段。

2026/09/27 05:17 UTC #美国投资 #AI内存 #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
三星电子第三季度营业利润预计将首次突破100万亿韩元，DRAM利润率或超80%
据DB Securities、Mirae Asset Securities和BNK Securities周日估计，三星电子第三季度营业利润平均为107.7万亿韩元（约合795亿美元），同比增长20.3%。尽管内存价格涨势因人工智能驱动的生产转移而降温，导致内存市场供应紧张，但DRAM利润率仍有望超过80%。

2026/09/27 02:06 UTC #三星电子 #股票 #DRAM #港股
花旗报告：AI“持续学习”将致内存供需失衡，DRAM和NAND缺口料持续至2031年
花旗在9月14日的报告中指出，随着AI迈入“持续学习”时代，HBM、服务器DDR5及企业级固态硬盘（eSSD）需求将从2027年起爆发性增长。花旗预计，DRAM供需比（S/D ratio）将在2027年和2028年分别恶化至-8.7%和-9.7%，NAND同期供需比亦将跌至-6.1%和-5.5%，供需失衡态势料持续延伸至2031年。报告还预测，2027年全球内存资本支出将同比大增46.5%至804

2026/09/16 06:10 UTC #NAND #股票 #花旗 #DRAM #AI #宏观
长鑫存储二季度利润率超越SK海力士和美光，预示存储行业格局转变
中国芯片制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）在第二季度利用商品级DRAM供应紧张的机遇，实现了利润率领先。其主要产品包括DDR5内存，该产品价格在近几个月大幅上涨，对长期由韩国、美国和日本供应商主导的存储行业构成了挑战。

2026/09/10 17:10 UTC #长鑫存储 #美光 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏观
美光(Micron)第二季度DRAM市场份额升至23.3%，仅落后SK海力士1.6个百分点
市场研究机构TrendForce报告显示，2026年第二季度全球DRAM收入环比增长约60%，其中美光(Micron)DRAM收入环比增长约66%至360亿美元，市场份额达到23.3%。这使得美光仅落后SK海力士(SK Hynix)的24.9%市场份额1.6个百分点，有望很快超越其成为第二大DRAM供应商。三星电子(Samsung Electronics)以39.4%的市场份额位居第一。

2026/09/10 15:05 UTC #美光 #三星电子 #SK海力士 #DRAM #宏观 #美股
海力士CEO称其“美国制造”HBM产品将从韩国开始生产DRAM晶圆
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基仪式上表示，公司在印第安纳州投资超40亿美元建设的HBM生产基地将成为首批“美国制造”HBM产品的门户。然而，这些产品的DRAM晶圆仍将在韩国工厂生产，随后运往美国印第安纳州西拉斐特进行堆叠、封装和测试。该工厂预计将于2026年下半年开始大规模生产，这是海力士在美国的首个HBM生产基地。

2026/09/03 05:29 UTC #海力士 #HBM #股票 #DRAM #美股
海力士与英伟达等客户签订7500亿美元长期内存供应合同，管理层预计DRAM供应至少2030年才能赶上需求
雅虎财经分析指出，当前DRAM超级周期与AI建设直接相关，高带宽内存（HBM）需求持续激增，但产能扩张受限，导致整体DRAM市场供不应求。海力士管理层预计，DRAM供应至少要到2030年才能赶上需求。该公司近期已与客户签订了价值7500亿美元的长期内存芯片供应合同，其中5000亿美元来自英伟达，双方还将合作开发下一代内存。同时，美光也与16家客户签订了至2030年的不可取消长期合同，约占其收入的4

2026/09/02 16:33 UTC #海力士 #股票 #DRAM #英伟达 #AI #美股
戴尔Q2营收同比大增58%至470亿美元，AI服务器积压订单达950亿美元，大幅上调全年指引，COO称“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM！”
戴尔公布截至7月31日的2027财年第二季度业绩，营收470亿美元，同比增长58%，超出市场预期；非GAAP每股收益7.04美元，同比增长203%。公司将全年营收指引上调250亿美元至1920亿美元中值，同比增幅约70%。截至二季度末，戴尔AI服务器积压订单已达950亿美元。副董事长兼首席运营官Jeff Clarke在电话会上强调，当前供应链的主要限制因素是DRAM，其次是NAND。

2026/09/02 02:00 UTC #戴尔 #AI服务器 #NAND #DRAM #宏观 #美股
高盛预计中国半导体资本支出到2030年将达820亿美元，长鑫存储（CXMT）有望在2028年满足中国50%的DRAM需求
高盛在一份报告中表示，随着AI需求推动对先进芯片、存储器和制造能力的投资，预计中国半导体自给自足的努力将加速。高盛预测，到2030年，中国的半导体资本支出将达到820亿美元，比此前预期增长79%。报告还预计，到2035年，中国7纳米及以下芯片的供应缺口将从2025年的92%缩小到34%。在存储器方面，预计长鑫存储（CXMT）到2028年将满足中国50%的DRAM需求，这得益于产能扩张和良率提升。报

2026/08/27 11:23 UTC #长鑫存储 #DRAM #高盛 #半导体 #宏观 #A股
雅虎财经的分析显示，有三只科技类ETF——包括自4月上市以来涨幅已超过100%的Roundhill内存ETF（DRAM）——今年表现可能优于标普500指数。
该分析重点介绍了Roundhill内存ETF（DRAM），该基金主要投资于三星、美光和SK海力士等内存芯片制造商。此外，iShares半导体ETF（SOXX）——过去五年年化回报率达29.6%——以及投资范围更为广泛的先锋信息技术指数基金（VGT）——过去十年年化回报率为24.3%——也被视为具有潜在超额收益能力的标的。

2026/08/25 12:35 UTC #VGT #SOXX #标普500指数 #DRAM #宏观 #美股
分析认为，英伟达（Nvidia）财报发布后，美光科技（Micron Technology）股价有望飙升
分析指出，美光科技作为英伟达高带宽内存（HBM）的关键供应商之一，其股价表现与英伟达的业绩紧密相关。市场普遍预计英伟达第二季度营收将达921亿美元，同比增长97%。若英伟达业绩强劲，将进一步验证AI基础设施超级周期，并推高HBM及DRAM的合约价格，从而利好美光科技的营收增长和利润扩张。美光科技的HBM和DRAM产量已售罄，新产能正在上线，其股价在近期盘整后，有望在英伟达财报公布后迎来上涨。

2026/08/24 17:10 UTC #HBM #美光科技 #DRAM #英伟达 #宏观 #美股
SK海力士批准投资380亿美元建设新内存晶圆厂，预计2028年12月前不会投产
SK海力士董事会于8月7日批准了总计54.3万亿韩元（约合380亿美元）的投资，用于建设两座新工厂。其中，35.2万亿韩元将用于龙仁的Y2工厂，生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM；其余19.1万亿韩元将用于清州的M17工厂，生产NAND闪存。M17工厂预计2027年2月动工，首个洁净室将于2028年12月开放；Y2工厂预计2027年7月动工，首个洁净室将于2029年6月开放。公司表示，此项投

2026/08/15 18:16 UTC #NAND闪存 #HBM #SK海力士 #股票 #DRAM #大宗商品
高盛专家：HBM和DRAM订单已售罄至2027年，但价格环比涨幅预计在2027年Q2-Q3见顶并温和回落
高盛欧洲TMT专家Sean Johnstone在最新报告中指出，HBM（高带宽内存）和DRAM订单已售罄至2027年，长期协议设有价格下限，毛利率仍维持在70%中高段水平，AI结构性需求将供给持续压紧至2028年。然而，他同时表示，存储芯片价格环比涨幅已在减速，预计将在2027年二季度至三季度见顶，随后可能出现温和小幅回落。英伟达下一代“Vera Rubin”超级芯片中存储成本已占整体物料清单约6

2026/08/11 00:20 UTC #HBM #DRAM #高盛 #AI #宏观 #美股
分析指出海力士和三星近期财报显示内存芯片定价不及预期，或预示美光未来业绩承压
分析指出，海力士和三星近期公布的财报显示，其内存芯片（DRAM和NAND）定价涨幅低于分析师预期，这可能对美光科技未来的业绩构成压力。海力士DRAM定价环比上涨约30%，低于高盛分析师预期的39%；三星DRAM定价上涨逾40%，也未达到Morningstar分析师预期的48%。分析认为，定价不及预期可能表明人工智能（AI）需求增长正在放缓，且海力士报告称HBM4芯片出货量低于预期。此外，芯片制造

2026/08/10 00:13 UTC #海力士 #三星 #股票 #美光科技 #DRAM #美股
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