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SK海力士董事會批准投資約382.82億美元（54.3萬億韓元），在韓國新建兩座晶圓廠
此舉旨在擴大DRAM和NAND生產基地，以滿足人工智能帶動的HBM及先進存儲需求增長。其中，龍仁Y2工廠將聚焦HBM與下一代DRAM，清州M17工廠將完善NAND產能。兩座工廠預計最早於2028年底至2029年陸續投產，並將在2031年前完成投資，產能將根據客户需求逐步擴大。

2026/08/07 08:00 UTC #HBM #NAND #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
Counterpoint：三星電子在2026年第二季度以39%的市場份額重奪全球DRAM市場第一，SK海力士和美光緊隨其後
據市場研究機構Counterpoint Research最新報告，三星電子在2026年第二季度重新奪回DRAM市場第一的位置，結束了此前被SK海力士超越的局面。同期，SK海力士市場份額為26%，美光科技以25%的市場份額緊隨其後。三星此次反超主要得益於通用DRAM價格上漲以及HBM（高帶寬內存）業務擴張，而SK海力士的市場份額下降則反映出HBM均價下滑以及早期長期供貨協議（LTA）鎖價帶來的階段性

2026/08/04 10:34 UTC #三星電子 #SK海力士 #股票 #美光科技 #DRAM #宏觀
中國DRAM製造商CXMT上市首日股價飆升466%，募資86億美元，分析稱此舉增強了蘋果的供應鏈靈活性，但對美光構成長期定價威脅
CXMT於7月27日上市首日收盤價為49元，較8.66元的發行價上漲466%，此次IPO募資約86億美元，成為今年亞洲最大規模的IPO。分析認為，CXMT的崛起為蘋果公司增加了潛在的供應商選擇，有助於提升供應鏈靈活性，儘管其對定價的影響尚不明確。對於美光而言，CXMT的擴張可能對其消費級和服務器DRAM定價構成長期壓力，但由於CXMT在高帶寬內存（HBM）技術上仍落後兩代，短期內對美光AI內存業務

2026/08/03 17:00 UTC #長鑫存儲 #美光 #蘋果 #股票 #DRAM #美股
分析師：中國DRAM廠商或於2027年進一步推進3D DRAM研發
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Goldman Sachs 與一位中國 DRAM 行業專家通話中，該專家認為，儘管良率可能更低，中國供應商的 DRAM 價格可與全球龍頭相當；中國 DRAM 廠商可能於 2027 年在 3D DRAM 產品開發上取得進一步進展；合肥、上海和北京正在推進的產能擴張預計將於 2028 年全面投產；一些晶圓廠據稱主要使用國產中國設備

2026/07/25 23:49 UTC #中國DRAM #DRAM #高盛
Tom Lee：AI下游資產表現持續增強，以太坊近一個月跑贏DRAM 72個百分點
Svmuu訊 Bitmine 董事長、Fundstrat 聯合創始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相關資產的相對錶現正在持續增強，其中以太坊（ETH）相較於 DRAM（動態隨機存取存儲器）板塊近期展現出明顯超額收益。 Tom Lee 披露數據顯示，過去一個月內，ETH 相對 DRAM 的表現優勢擴大至 7200 個基點（72 個百分點）。同期，ETH 價格上漲

2026/07/21 13:35 UTC #DRAM #AI #以太坊
摩根士丹利：美國內存股拋售為一次“健康重置” 並不是週期拐點
Svmuu訊據市場消息：摩根士丹利分析師將近期美國內存股拋售稱為一次“健康重置”，並認為這不是內存週期的拐點。摩根士丹利預計 2026 年三季度 DRAM 價格仍可能環比上漲 20%-30%以上。這個判斷指向的是部分渠道和品類口徑，不能簡單等同於全行業服務器 DRAM 官方合約價。

2026/07/20 12:47 UTC #美國內存股 #DRAM #摩根士丹利
DRAM價格預期上調：三季度均價或環比上漲21%，高於TrendForce預測
Svmuu訊根據最新行業調研，全球 DRAM 市場第三季度平均售價（ASP）預計將環比上漲 21%，這一預期高於 TrendForce 此前對傳統 DRAM 價格上漲 13%至 18%、以及包含 HBM 在內整體上漲 8%至 13%的預測。分析認為，第三季度 DRAM 價格上漲主要受到多項因素推動，包括服務器 DRAM 價格環比上漲 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求強勁；DDR5 及

2026/07/19 08:18 UTC #台積電 #存儲芯片 #DRAM #半導體
摩根士丹利：DRAM合約價增速或在Q4見頂，存儲企業估值待重估
Svmuu訊摩根士丹利發佈最新存儲行業觀點，預判 DRAM 合約價同比增速將在 2026 年第四季度見頂。報告指出，四季度後 DRAM 價格同比漲幅或將大幅回落，此前一年價格暴漲四倍的行情難以復刻。機構同時提及，當前存儲芯片企業對應未來 12 個月預期市淨率存在重估空間，板塊估值邏輯或將迎來調整。

2026/07/16 12:44 UTC #估值 #存儲芯片 #DRAM #摩根士丹利
長鑫科技：2023年至2025年主要DRAM產品銷量的年均複合增長率高達83.98%
Svmuu訊 7 月 15 日，長鑫科技科創板上市網上投資者交流會舉行。對於公司 2023 年至 2025 年收入實現快速增長的驅動因素，長鑫科技董事長朱一明表示，為實現產能及市場份額的快速提升，公司始終處於產能擴建及釋放階段，產能的迅速爬坡帶來產出及銷量的增長是公司 2023-2025 收入提升的最主要因素。同時，公司通過長期的技術投入和自主創新，陸續搭建了第一代、第三代、第四代並持續迭代的工

2026/07/15 10:25 UTC #長鑫科技 #DRAM #半導體
長鑫科技稱AI發展對DRAM市場需求存在不確定性
Svmuu訊長鑫科技副總裁、董事會秘書袁園表示，2025 年下半年以來的業績增長受益於 AI 驅動的 DRAM 需求增長及行業供需緊張，但 DRAM 行業具有強週期性，價格波動較大，且 AI 發展對 DRAM 市場需求存在不確定性。公司將持續通過技術迭代、產能優化和成本管控提升抗週期能力，並提醒投資者關注行業波動風險。

2026/07/15 08:26 UTC #長鑫科技 #DRAM #AI
三星電子計劃在器興建設新DRAM工廠，月產能預計達10萬片晶圓
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Samsung Electronics 計劃在其器興園區建設一座新的 DRAM 晶圓廠，將原定用於研發中心的場地改造為內存生產設施。該設施月產能預計約 10 萬片晶圓，總投資預計達數十萬億韓元。Samsung Electronics 已組建內部團隊推進新晶圓廠建設，最早可能於第三季度啓動初期施工。Counterpoint Re

2026/07/14 23:55 UTC #三星電子 #DRAM #半導體
某地址虧損3603萬美元后再次被清算，過去一週清算損失84.17萬美元
Svmuu訊據 Onchain Lens 監測，某地址在 Hyperliquid 上再次被清算，其 274 萬美元 DRAM 多單被清算，損失約 33.65 萬美元；該錢包 6 天前還因 MRVL 清算損失約 50.52 萬美元，過去一週清算損失約 84.17 萬美元，目前虧損 3603 萬美元。

2026/07/14 22:50 UTC #MRVL #清算 #DRAM #hyperliquid
SK海力士啓動龍仁Y1晶圓廠設備採購，計劃明年2月建設試產線
Svmuu訊 SK 海力士已開始為位於韓國龍仁的 Y1 晶圓廠採購先進 DRAM 製造設備，初步規劃產能約為每月 2 萬片晶圓。SK 海力士計劃將 Y1 Ph1 啓用時間從原定明年 5 月提前至明年 2 月，並於明年 2 月啓動試生產線建設，隨後在 3 至 4 月推進大規模設備安裝。該晶圓廠目標生產第六代 10 納米級 1c DRAM，該產品將用於 AI 服務器相關 DDR、LPDDR 產品，並

2026/07/14 05:09 UTC #HBM4E #AI服務器 #SK海力士 #DRAM
分析師下調 SK 海力士二季度盈利預期，但預計長期盈利增長持續
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，KIS Semicon 分析師 Minsook Chae 預計 SK Hynix 2026 年二季度營業利潤為 60.4 萬億韓元，環比增長 61%，同比增長 556%，較 65 萬億韓元市場共識低 8%。分析師表示，下調預期主要由於 SK 海力士 HBM 銷售佔比高於同行、普通 DRAM 價格漲幅低於此前市場預期，以及長期

2026/07/13 03:41 UTC #盈利預期 #SK Hynix #HBM #DRAM
Citrini分析師：中國CXMT測試鍵合DRAM試產線，韓媒稱其技術與開發速度或領先韓國對手
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，韓媒報道稱中國 CXMT 目前正在合肥測試一條鍵合 DRAM 試產線，目標是在不使用 EUV 光刻的情況下實現高性能 DRAM。鍵合 DRAM 是一種將存儲單元陣列與外圍電路分別在不同晶圓上製造、隨後進行鍵合的技術。該方法可僅使用多重圖形化的深紫外 DUV 光刻生產超高密度 DRAM，並不需要 EUV 設備。 Samsung

2026/07/05 09:20 UTC #DRAM #半導體
Citrini分析師：UBS上調DRAM和NAND價格預期
Svmuu訊 Citrini 分析師 Jukan 在 X 平台發文表示，UBS 上調 DRAM 和 NAND 價格預期，目前預計 DRAM 價格將在第三季度環比上漲 32%，第四季度環比上漲 18%；NAND 價格將在第三季度環比上漲 30%，第四季度環比上漲 12%。

2026/07/03 11:31 UTC #瑞銀 #NAND #DRAM
消息稱三星電子第三季度DRAM價格將上調至多20%
Svmuu訊據業內人士 3 日透露，三星電子目前正在與客户進行談判，目標是將今年第三季度 DRAM 的平均售價比上一季度提高 20%。（ZDNET Korea）

2026/07/03 05:25 UTC #三星電子 #DRAM
Atreides創始人：DRAM始終是AI最重要的瓶頸，2027年會佔到數據中心資本支出的30%-40%
Svmuu訊 Atreides Management 創始人兼首席投資官 Gavin Baker 在參加最新一期 All In 播客節目時談到了 AI 競賽的“瓶頸”問題。 Gavin 表示，DRAM 始終是最重要的瓶頸，社交媒體上有一羣人非常關注瓶頸問題，他們會在 Claude 搜索，找出一些不知名的日本材料公司，但真正重要的瓶頸只有 DRAM，因為內存容量和帶寬是所有 AI 模型性能的基礎。

2026/06/29 07:38 UTC #數據中心 #DRAM #AI
長鑫存儲獲騰訊30億美元存儲芯片供應協議
Svmuu訊據路透社報道，三位知情人士透露，中國存儲芯片製造商長鑫存儲（CXMT）已與騰訊控股簽署一項長期供貨協議，合同金額超過 200 億元人民幣（約合 29.4 億美元）。這項重大訂單是在長鑫存儲備受矚目的首次公開募股（IPO）前達成的。知情人士表示，該協議涵蓋未來數年的服務器 DRAM 芯片供應。其中，兩位消息人士稱合同期限最長為 3 年，另一位則表示最長可達 5 年。由於相關信息屬於保

2026/06/29 07:36 UTC #存儲芯片 #DRAM #騰訊 #IPO
花旗：蘋果對長鑫存儲內存興趣將提升其全球地位
Svmuu訊花旗表示，報道稱蘋果對長鑫存儲的內存感興趣，這一認可將長鑫存儲從“中國國產替代的故事”轉變為“具備公信力的全球第四大 DRAM 製造商”。花旗預計，該消息將對長鑫存儲及其供應鏈帶來利好，包括設備供應商和 OSAT 外包封測廠商。

2026/06/29 01:29 UTC #長鑫存儲 #蘋果 #花旗 #DRAM
DRAM ETF已將兆易創新納入持倉，持倉權重達2.91%
Svmuu訊根據公開信息，Roundhill Memory ETF(DRAM) 已將兆易創新納入持倉，權重為 2.91%。Citrini Research 分析師 Jukan 表示，兆易創新被視為中國 DRAM 廠商長鑫存儲的母公司或關聯實體。Roundhill Memory ETF 主要聚焦全球存儲芯片產業鏈，核心持倉包括 Samsung Electronics、Micron Technolo

2026/06/27 02:32 UTC #存儲芯片 #DRAM #ETF
創歷史新高，2026年全球半導體市場規模預計超1.5萬億美元
Svmuu訊世界半導體貿易統計組織近期發佈預測稱，受 AI 熱潮拉動，2026 年全球半導體市場規模將超 1.5 萬億美元，創歷史新高。半導體行業正圍繞 AI 需求加速重構。行業研究機構報告顯示，今年第一季度 DRAM 市場營收規模達 970 億美元，同比增長 260%，創歷史新高。其中三星電子佔據約 38%市場份額，位居第一；SK 海力士和美光科技位列其後。三星電子已連續兩個季度位居 DRAM

2026/06/26 11:02 UTC #DRAM #NVIDIA #半導體 #AI
Lenovo：DRAM和NAND價格上漲將成為新常態，並持續至2030年後
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Lenovo 稱內存價格上漲是“新常態”，DRAM 和 NAND 閃存價格已進入結構性上行週期，即使主要供應商繼續擴產，價格也不太可能回到 2025 年初水平。更高成本正在整個行業傳導，未來包括 PC 和智能手機在內的各類電子設備預計將持續面臨漲價壓力，較高價格將在 2030 年後成為“新常態”。

2026/06/26 07:53 UTC #電子產品 #漲價 #NAND #DRAM
國金證券：美光科技推進長協落地，供需缺口有望持續
Svmuu訊國金證券研報認為，美光科技推進長協落地，供需缺口有望持續。美光科技已經與客户完成 16 個 SCA（戰略客户合作協議），下游涵蓋數據中心、消費電子、汽車市場。SCA 中汽車客户簽訂時間為三年，其他客户基本為五年。16 個 SCA 協議已經佔到美光科技 20%的 DRAM 出貨量，1/3 的 NAND 出貨量。美光科技簽訂的 SCA 的價格區間中下限也可以帶來超過過去週期頂點的盈利能

2026/06/26 00:17 UTC #存儲行業 #NAND #美光科技 #DRAM
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SK海力士第三季度營收達104.6萬億韓元創紀錄，預計AI內存需求到2030年將供不應求；DRAM和HBM已售罄至2029年
SK海力士第三季度營收達104.6萬億韓元創紀錄，預計AI內存需求到2030年將供不應求；DRAM和HBM已售罄至2029年

2026/10/28 21:21 UTC #HBM #AI內存 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏觀
美光CTO表示，公司不會追求4F²存儲芯片，將繼續專注於6F²和3D DRAM技術，儘管中國競爭對手長鑫存儲（CXMT）在該領域取得了突破。
美光CTO表示，公司不會追求4F²存儲芯片，將繼續專注於6F²和3D DRAM技術，儘管中國競爭對手長鑫存儲（CXMT）在該領域取得了突破。

2026/10/21 17:32 UTC #長鑫存儲 #美光 #股票 #存儲芯片 #DRAM #美股
高盛上調中國DRAM廠商長鑫科技目標價至130元，因Q3營收超預期30%且G5平台已量產
高盛發佈最新研究報告，維持對中國DRAM廠商長鑫科技的“買入”評級，並將12個月目標價從129元小幅上調至130元。此次上調主要受長鑫科技披露的第三季度業績預告驅動，高盛預計其Q3營收中值較此前預測高出約30%。此外，公司已於2026年9月正式量產第五代DRAM技術平台（G5），高盛認為這將全面打開增長空間，並據此上調公司2026年至2030年盈利預測。

2026/10/20 06:39 UTC #長鑫科技 #股票 #DRAM #高盛 #A股
長鑫存儲（CXMT）股價下跌超6%，儘管預計2026年前三季度利潤強勁
週一，長鑫存儲（CXMT）股價下跌6.5%，儘管這家中國芯片製造商預計2026年前三季度淨利潤將達到1310億元至1325億元人民幣（約合195.8億美元），扭轉了去年同期52.8億元人民幣的淨虧損。該公司預計營收約為2650億元至2700億元人民幣，並將業績的顯著改善歸因於人工智能算力需求的快速增長，這提振了全球DRAM市場。2026年第三季度，長鑫存儲在全球DRAM營收中佔比10%，高於去年同

2026/10/19 02:01 UTC #長鑫存儲 #股票 #DRAM #人工智能 #A股
中國存儲芯片龍頭長鑫科技預計前三季度淨利潤1310億-1325億元，同比扭虧為盈，營收增超七倍
中國存儲芯片龍頭長鑫科技發佈業績預告，預計2026年前三季度歸屬於上市公司股東的淨利潤達1310億元至1325億元，較上年同期虧損52.80億元實現大幅扭虧為盈。同期營業收入預計約為2650億元至2700億元，較上年同期320.84億元增加逾2300億元，同比增幅超過七倍。公司將業績大幅改善歸因於AI算力需求快速增長帶動全球DRAM行業景氣度提升，產品供不應求，價格大幅上漲。

2026/10/16 14:01 UTC #長鑫科技 #股票 #DRAM #AI算力 #A股
KeyBanc：預計HBM明年Q1漲價80%-100%，DRAM和NAND價格Q4漲15%-20%
KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh在亞洲調研報告中指出，受AI數據中心需求驅動，高帶寬內存（HBM）價格預計將在2027年第一季度環比上漲80%至100%，DRAM價格今年第四季度將環比上漲15%至20%，NAND漲幅約為20%。

2026/10/16 08:25 UTC #KeyBanc Capital Markets #HBM #NAND #股票 #DRAM #宏觀
存儲板塊承壓，美光閃迪週一領跌，因韓國市場補跌、回購結束及長鑫科技4F²架構進展
存儲板塊週一經歷集中拋售，美光收跌3.88%，閃迪跌5.97%，美光距6月高點已跌近20%。此輪調整主要受三重衝擊影響：韓國市場在韓文日假期後補跌，韓國綜合指數（KOSPI）大跌3.65%；三星與SK海力士合計約400億美元的回購計劃提前結束，三星迴購已於10月6日終止；以及中國長鑫科技（CXMT）在10月9日至10日宣佈4F²新一代DRAM架構取得關鍵進展，並計劃年底推出服務器內存產品，在單元架

2026/10/13 00:10 UTC #股票回購 #存儲 #DRAM #半導體 #A股 #美股
麥肯錫上調2030年全球半導體市場規模預測44%至2.3萬億美元，主要由DRAM價格累計上漲6倍推動
麥肯錫最新研究將2030年全球半導體市場規模基準預測從2025年秋季的1.6萬億美元上調至2.3萬億美元，增幅約44%。報告指出，此次上調並非源於出貨量增長，而是先進製程芯片和存儲器平均銷售價格（ASP）上漲所致，其中DRAM價格自2023年初以來已累計上漲約六倍，回到2011年高點。AI基礎設施投資是這一結構性變化的核心驅動力，五大超大規模雲計算服務商計劃在2026年和2027年投入萬億美元用於

2026/10/02 11:27 UTC #麥肯錫 #股票 #DRAM #半導體 #AI #宏觀
高盛：外資對韓國KOSPI半導體板塊持倉降至歷史低位，較歷史均值低2.1個標準差
據高盛數據，外資對韓國KOSPI半導體板塊的持倉比例已降至49.1%，較歷史均值低2.1個標準差，且倉位流失幾乎完全集中於存儲芯片領域。與此同時，TrendForce預計2027年HBM將佔據DRAM晶圓總投入的30%，高於2026年的22%，分析師對韓國科技板塊2027年每股盈利共識預期在過去六個月內上調幅度高達122%。市場對存儲週期見頂的擔憂與盈利預測持續上修形成罕見分歧，當前韓國半導體板塊

2026/09/29 13:10 UTC #HBM #股票 #DRAM #高盛 #半導體 #宏觀
三星高管：預計2027年HBM將佔DRAM產能近30%，傳統內存供應或進一步收緊並推高價格
據路透社報道，三星電子執行副總裁Kim Taewoo表示，高帶寬內存（HBM）預計將在2027年佔據全球DRAM行業晶圓總產能的近30%，高於目前約20%的水平。他指出，HBM與傳統DRAM共用同一晶圓產能，HBM的持續擴張將進一步壓縮傳統DRAM的供應空間。市場研究機構TrendForce預計，受AI服務器需求增長驅動，HBM與傳統DRAM對先進製程及晶圓產能的競爭將延續，疊加次世代產品良率與產

2026/09/29 12:48 UTC #HBM #三星 #AI服務器 #股票 #DRAM #宏觀
SK海力士表示，鑑於客户和政府的壓力，正考慮在美國建立一個完整的存儲器生產基地。
SK集團董事長崔泰元今年7月表示，由於客户和政府方面要求增加內存芯片供應的“巨大壓力”，因此有必要在美國建廠。該公司已着手籌建用於生產高價值AI內存的美國生產基地，投資超過40億美元的印第安納州工廠已於上月破土動工。該工廠將加工在韓國製造的先進DRAM晶圓，用於後續生產階段。

2026/09/27 05:17 UTC #美國投資 #AI內存 #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
三星電子第三季度營業利潤預計將首次突破100萬億韓元，DRAM利潤率或超80%
據DB Securities、Mirae Asset Securities和BNK Securities週日估計，三星電子第三季度營業利潤平均為107.7萬億韓元（約合795億美元），同比增長20.3%。儘管內存價格漲勢因人工智能驅動的生產轉移而降温，導致內存市場供應緊張，但DRAM利潤率仍有望超過80%。

2026/09/27 02:06 UTC #三星電子 #股票 #DRAM #港股
花旗報告：AI“持續學習”將致內存供需失衡，DRAM和NAND缺口料持續至2031年
花旗在9月14日的報告中指出，隨着AI邁入“持續學習”時代，HBM、服務器DDR5及企業級固態硬盤（eSSD）需求將從2027年起爆發性增長。花旗預計，DRAM供需比（S/D ratio）將在2027年和2028年分別惡化至-8.7%和-9.7%，NAND同期供需比亦將跌至-6.1%和-5.5%，供需失衡態勢料持續延伸至2031年。報告還預測，2027年全球內存資本支出將同比大增46.5%至804

2026/09/16 06:10 UTC #NAND #股票 #花旗 #DRAM #AI #宏觀
長鑫存儲二季度利潤率超越SK海力士和美光，預示存儲行業格局轉變
中國芯片製造商長鑫存儲技術有限公司（CXMT）在第二季度利用商品級DRAM供應緊張的機遇，實現了利潤率領先。其主要產品包括DDR5內存，該產品價格在近幾個月大幅上漲，對長期由韓國、美國和日本供應商主導的存儲行業構成了挑戰。

2026/09/10 17:10 UTC #長鑫存儲 #美光 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏觀
美光(Micron)第二季度DRAM市場份額升至23.3%，僅落後SK海力士1.6個百分點
市場研究機構TrendForce報告顯示，2026年第二季度全球DRAM收入環比增長約60%，其中美光(Micron)DRAM收入環比增長約66%至360億美元，市場份額達到23.3%。這使得美光僅落後SK海力士(SK Hynix)的24.9%市場份額1.6個百分點，有望很快超越其成為第二大DRAM供應商。三星電子(Samsung Electronics)以39.4%的市場份額位居第一。

2026/09/10 15:05 UTC #美光 #三星電子 #SK海力士 #DRAM #宏觀 #美股
海力士CEO稱其“美國製造”HBM產品將從韓國開始生產DRAM晶圓
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基儀式上表示，公司在印第安納州投資超40億美元建設的HBM生產基地將成為首批“美國製造”HBM產品的門户。然而，這些產品的DRAM晶圓仍將在韓國工廠生產，隨後運往美國印第安納州西拉斐特進行堆疊、封裝和測試。該工廠預計將於2026年下半年開始大規模生產，這是海力士在美國的首個HBM生產基地。

2026/09/03 05:29 UTC #海力士 #HBM #股票 #DRAM #美股
海力士與英偉達等客户簽訂7500億美元長期內存供應合同，管理層預計DRAM供應至少2030年才能趕上需求
雅虎財經分析指出，當前DRAM超級週期與AI建設直接相關，高帶寬內存（HBM）需求持續激增，但產能擴張受限，導致整體DRAM市場供不應求。海力士管理層預計，DRAM供應至少要到2030年才能趕上需求。該公司近期已與客户簽訂了價值7500億美元的長期內存芯片供應合同，其中5000億美元來自英偉達，雙方還將合作開發下一代內存。同時，美光也與16家客户簽訂了至2030年的不可取消長期合同，約佔其收入的4

2026/09/02 16:33 UTC #海力士 #股票 #DRAM #NVIDIA #AI #美股
戴爾Q2營收同比大增58%至470億美元，AI服務器積壓訂單達950億美元，大幅上調全年指引，COO稱“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM！”
戴爾公佈截至7月31日的2027財年第二季度業績，營收470億美元，同比增長58%，超出市場預期；非GAAP每股收益7.04美元，同比增長203%。公司將全年營收指引上調250億美元至1920億美元中值，同比增幅約70%。截至二季度末，戴爾AI服務器積壓訂單已達950億美元。副董事長兼首席運營官Jeff Clarke在電話會上強調，當前供應鏈的主要限制因素是DRAM，其次是NAND。

2026/09/02 02:00 UTC #戴爾 #AI服務器 #NAND #DRAM #宏觀 #美股
高盛預計中國半導體資本支出到2030年將達820億美元，長鑫存儲（CXMT）有望在2028年滿足中國50%的DRAM需求
高盛在一份報告中表示，隨着AI需求推動對先進芯片、存儲器和製造能力的投資，預計中國半導體自給自足的努力將加速。高盛預測，到2030年，中國的半導體資本支出將達到820億美元，比此前預期增長79%。報告還預計，到2035年，中國7納米及以下芯片的供應缺口將從2025年的92%縮小到34%。在存儲器方面，預計長鑫存儲（CXMT）到2028年將滿足中國50%的DRAM需求，這得益於產能擴張和良率提升。報

2026/08/27 11:23 UTC #長鑫存儲 #DRAM #高盛 #半導體 #宏觀 #A股
雅虎財經的分析顯示，有三隻科技類ETF——包括自4月上市以來漲幅已超過100%的Roundhill內存ETF（DRAM）——今年表現可能優於標普500指數。
該分析重點介紹了Roundhill內存ETF（DRAM），該基金主要投資於三星、美光和SK海力士等內存芯片製造商。此外，iShares半導體ETF（SOXX）——過去五年年化回報率達29.6%——以及投資範圍更為廣泛的先鋒信息技術指數基金（VGT）——過去十年年化回報率為24.3%——也被視為具有潛在超額收益能力的標的。

2026/08/25 12:35 UTC #VGT #SOXX #標普500指數 #DRAM #宏觀 #美股
分析認為，英偉達（Nvidia）財報發佈後，美光科技（Micron Technology）股價有望飆升
分析指出，美光科技作為英偉達高帶寬內存（HBM）的關鍵供應商之一，其股價表現與英偉達的業績緊密相關。市場普遍預計英偉達第二季度營收將達921億美元，同比增長97%。若英偉達業績強勁，將進一步驗證AI基礎設施超級週期，並推高HBM及DRAM的合約價格，從而利好美光科技的營收增長和利潤擴張。美光科技的HBM和DRAM產量已售罄，新產能正在上線，其股價在近期盤整後，有望在英偉達財報公佈後迎來上漲。

2026/08/24 17:10 UTC #HBM #美光科技 #DRAM #NVIDIA #宏觀 #美股
SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產
SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投

2026/08/15 18:16 UTC #NAND閃存 #HBM #SK海力士 #股票 #DRAM #大宗商品
高盛專家：HBM和DRAM訂單已售罄至2027年，但價格環比漲幅預計在2027年Q2-Q3見頂並温和回落
高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM訂單已售罄至2027年，長期協議設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。然而，他同時表示，存儲芯片價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後可能出現温和小幅回落。英偉達下一代“Vera Rubin”超級芯片中存儲成本已佔整體物料清單約6

2026/08/11 00:20 UTC #HBM #DRAM #高盛 #AI #宏觀 #美股
分析指出海力士和三星近期財報顯示內存芯片定價不及預期，或預示美光未來業績承壓
分析指出，海力士和三星近期公佈的財報顯示，其內存芯片（DRAM和NAND）定價漲幅低於分析師預期，這可能對美光科技未來的業績構成壓力。海力士DRAM定價環比上漲約30%，低於高盛分析師預期的39%；三星DRAM定價上漲逾40%，也未達到Morningstar分析師預期的48%。分析認為，定價不及預期可能表明人工智能（AI）需求增長正在放緩，且海力士報告稱HBM4芯片出貨量低於預期。此外，芯片製造

2026/08/10 00:13 UTC #海力士 #三星 #股票 #美光科技 #DRAM #美股
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